jhcj2014：
尊敬的主辦方：本人是主要從事200W以內的源研發(fā)，看到主辦法舉辦這個活動后，非常想試用SiC-MOSFET評估板P02SCT3040KR-EVK-001，本人的申請理由下：1.SICMOSFET取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項目，現(xiàn)在想試用下SIC MOSFET的評估板來和IGBT做個比較。2.未試用過羅姆的SIC 器件，想以此機會評測羅姆公司的SIC產(chǎn)品，也為本公司儲備器件供應商資料。試用規(guī)劃是：1.根據(jù)評估板的參先評測下評估各項電源指標：效率、對應帶寬的紋波、澡音、電壓調整率、負載調整率、溫飄系數(shù)等；2.與本評估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對行各參數(shù)進行比較優(yōu)劣；3.最后本網(wǎng)站發(fā)布使用心得。