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功率器件的里程碑——英飛凌CoolGaN?功率器件測評

功率管是電力電子產品的基本構成單元,持續發展至今。

近年來碳化硅和氮化鎵材料的功率器件推出,基于寬禁帶半導體材料的功率管作為一種更先進的功率管正在被廣泛的應用,其速度快,頻帶高,與硅等傳統的半導體材料相比,它能夠讓器件在更高的飽和電子遷移率、頻率和電壓下運行。

硅的帶隙是1.17電子伏特,碳化硅是3.263電子伏特,氮化鎵是3.47電子伏特。


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英飛凌是目前唯一覆蓋普通硅、碳化硅、氮化鎵三種工藝的功率管的公司。

提到英飛凌,大家都知道他的CoolMOS? Mosfet,另外英飛凌還有600V以上的碳化硅二極管和1200V以上的碳化硅功率管,以及600VCoolGaN? 產品,其優良的特性,包括無寄生體二極管、無反向恢復、可以雙向導通,可以實現更多完美的拓撲以及更高頻和高效的電源設計。

配合英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K可以大大的簡化設計。

T1

T2


     首先采用源表對英飛凌的CoolGaN?——IGO60R070D1進行IV曲線的測量。


_T_01349


利用2臺泰克(吉時利)的6.5位源表聯機測量。


1


2



一臺用于驅動信號的供給,另一臺用于VDSIDS電壓電流的測量。通過上位機聯動操作測試。


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規格書給出的驅動所需要的最大平均電流是20mA,設置Vgs電壓限制為5V,測試Igs電流從0.1mA15mAIV曲線如上圖。


從圖中可以看出,IgsIds的線性關系還是比較好的,在Igs=14mAVds>15V進入完全導通狀態,在Igs=15mA、Vds>11V進入完全導通狀態。

 

設定Vds15-20V,測試Igs電流從-15mA+15mA時的Vgs電壓的IV曲線

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從圖中可以看出,CoolGaN? IGO60R070D1正負電流驅動的對稱性非常好,而且趨勢非常明顯,在電流滿足的情況下,需要的Vgs電壓也非常低。


在電路設計中我們知道,弱電流信號往往比弱電壓信號的抗干擾能力更強,所以,CoolGaN?在電源中應用會比電壓驅動氮化鎵功率管更穩定和可靠。


不過在高頻開關電源的應用中,還是需要按常規做法做到驅動回路盡量短小,將驅動線路中的寄生電感降低至最小,畢竟電感會抑制電流的上升。同時,由于CoolGaN?的導通域值比較低,所以在高DV/DT和高DI/DT電路中,還是有必要在開關瞬間加入負壓關斷來抑制干擾。


建議采用英飛凌推出的CoolGaN? 專用驅動芯片1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H,其不同于傳統功率MOSFET的柵極驅動IC,這個針對英飛凌CoolGaN?量身定制的柵極驅動IC可提供負輸出電壓,以快速關斷氮化鎵開關。


在開關應處于關閉狀態的整個持續時間內,GaN EiceDRIVER IC可以使柵極電壓首先跳到負電壓,這可保護氮化鎵開關不受噪音導致誤接通的影響,之后柵極電壓穩定保持為零。這對于開關電源實現強健運行至關重要。氮化鎵柵極驅動IC可實現恒定的GaN HEMT開關轉換速率,幾乎不受工作循環或開關速度影響。這可確保運行穩健性和很高能效,大大縮短研發周期。它集成了電隔離,可在硬開關和軟開關應用中實現強健運行。


它還可在開關電源的一次側和二次側之間提供保護,并可根據需要在功率級與邏輯級之間提供保護。


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2019-07-17 11:21

接下來再利用泰克的示波器MSO58自帶的功率器件動態參數分析功能對英飛凌的CoolGaN?進行測量。

還是采用英飛凌原廠的這個半橋測試DEMO進行測量:



采用雙脈沖法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次,示波器采用單次觸發。

           



采用泰克MSO58示波器的功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態參數。

         



左下的測試提示Ic off是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流導致的,這也說明CoolGaN?是完全沒有反向恢復電流和電荷的。即Qrr=0

另外,在CoolGaN?關斷和開通狀態下的動態參數在右下表格中羅列出來了,包括:trr,ton,toff,以及IDID_pk……等。

 

從結果中可以看出,基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN? IGO60R070D1速度還是非常快的,而且完全沒有反向恢復損耗。

 

     。。。下接第23帖。。。。


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2019-07-19 09:40
@javike
接下來再利用泰克的示波器MSO58自帶的功率器件動態參數分析功能對英飛凌的CoolGaN?進行測量。還是采用英飛凌原廠的這個半橋測試DEMO進行測量:[圖片]采用雙脈沖法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次,示波器采用單次觸發。      [圖片]采用泰克MSO58示波器的功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態參數。     [圖片]左下的測試提示Icoff是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流導致的,這也說明CoolGaN?是完全沒有反向恢復電流和電荷的。即Qrr=0另外,在CoolGaN?關斷和開通狀態下的動態參數在右下表格中羅列出來了,包括:trr,ton,toff,以及ID,ID_pk……等。 從結果中可以看出,基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN?IGO60R070D1速度還是非??斓模彝耆珱]有反向恢復損耗。    。。。下接第23帖。。。。
氮化鎵功率器件確實性能十分優越,超快的開通速度,超低的開通管段損耗,這些賣點都很吸引人,但是現在看來價格還是主要的限制,但是隨著技術的越開越來發達,我相信,氮化鎵的產品會越來越普及的。
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2019-07-19 10:25
利用GaN人們可以獲得具有更大帶寬、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半導體器件,射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料。 屬氮化鎵最為優秀,硅或者其他器件相比,氮化鎵速度更快。所以在未來5G時代,氮化鎵市場會更加龐大。
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2019-07-19 10:39
@javike
接下來再利用泰克的示波器MSO58自帶的功率器件動態參數分析功能對英飛凌的CoolGaN?進行測量。還是采用英飛凌原廠的這個半橋測試DEMO進行測量:[圖片]采用雙脈沖法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次,示波器采用單次觸發。      [圖片]采用泰克MSO58示波器的功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態參數。     [圖片]左下的測試提示Icoff是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流導致的,這也說明CoolGaN?是完全沒有反向恢復電流和電荷的。即Qrr=0另外,在CoolGaN?關斷和開通狀態下的動態參數在右下表格中羅列出來了,包括:trr,ton,toff,以及ID,ID_pk……等。 從結果中可以看出,基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN?IGO60R070D1速度還是非??斓?,而且完全沒有反向恢復損耗。    。。。下接第23帖。。。。
期待后面的精彩內容
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tracy188
LV.5
6
2019-07-19 10:52
氮化鎵功率管相比較其它功率管,各個端子之間的距離縮短小了,這樣可以實現更低的電阻損耗,可以使轉換的時間更短,它具有開關快、功率損耗及成本低的優勢,以及運行穩定可靠。
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其樂518
LV.2
7
2019-07-19 11:11
@tracy188
氮化鎵功率管相比較其它功率管,各個端子之間的距離縮短小了,這樣可以實現更低的電阻損耗,可以使轉換的時間更短,它具有開關快、功率損耗及成本低的優勢,以及運行穩定可靠。
氮化鎵的優點還是挺多的,面積小,體積小,輸入電容小,反向恢復時間短,可以工作在很高的頻率,來減小電源體積。不過價格比較貴,小功率產品有點難應用,可能以后CoolGaN會有大量應用,價格也會有所下降,期待,關注中。。。。
 
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denyuiwen
LV.7
8
2019-07-19 14:51
利用碳化硅和氮化鎵材料的功率器件做的產品,可以在尺寸上有很大的空間優勢,成本上要降多少?體積縮小了,對于散熱,對比以前的產品,優勢是有的,畢竟它的驅動性能更好,反向損耗很小,值得去推廣。
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gaon
LV.7
9
2019-07-19 14:58
@denyuiwen
利用碳化硅和氮化鎵材料的功率器件做的產品,可以在尺寸上有很大的空間優勢,成本上要降多少?體積縮小了,對于散熱,對比以前的產品,優勢是有的,畢竟它的驅動性能更好,反向損耗很小,值得去推廣。
普通硅、碳化硅、氮化鎵三種工藝,目前來看各有優勢,低成本,高性能,小體積,低熱損等等,但隨著新材料的普及和應用,及出貨量的增加, 普通硅產品將會最終被淘汰,學習使用新的器件會對將來產品的品質和穩定性帶來保證, 綠色環保的趨勢也會加速新器件的普及.
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qingguiying
LV.1
10
2019-07-19 15:42
普通硅、碳化硅、氮化鎵三種工藝的進步,表明在科技的進步,以后可能會有更好的材料代替它們,目前這三種工藝應用的市場不同,決定了它的普及率。氮化鎵技術的優勢非常明顯,高性能,小體積,低熱損,但是大眾化還有比較長的一段時間。支持支持!?。?/span>
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2019-07-19 16:29
@gaon
普通硅、碳化硅、氮化鎵三種工藝,目前來看各有優勢,低成本,高性能,小體積,低熱損等等,但隨著新材料的普及和應用,及出貨量的增加,普通硅產品將會最終被淘汰,學習使用新的器件會對將來產品的品質和穩定性帶來保證,綠色環保的趨勢也會加速新器件的普及.
英飛凌 CoolGaN?非常適合高壓下運行更高頻率的開關,可以將整個系統的成本降低,可以做到更輕薄設計、功率密度擴展,使轉換效率大大地提高。氮化鎵擁有平面型的結構,與傳統硅材料的垂直型的結構有木箱的不同;同時,硅的帶隙是1.1電子伏特,氮化鎵是3.4電子伏特,這就使得氮化鎵GaN能夠讓器件在更高的電壓、頻率和溫度下運行。英飛凌的氮化鎵產品還是非常值得期待的。
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yujunice
LV.5
12
2019-07-19 17:24
@javike
接下來再利用泰克的示波器MSO58自帶的功率器件動態參數分析功能對英飛凌的CoolGaN?進行測量。還是采用英飛凌原廠的這個半橋測試DEMO進行測量:[圖片]采用雙脈沖法,用信號發生器設置脈寬為1uS,周期為2.5uS,脈沖次數為2次,示波器采用單次觸發。      [圖片]采用泰克MSO58示波器的功率器件分析功能可以直接得出CoolGaN?的動態參數。     [圖片]左下的測試提示Icoff是因為英飛凌的CoolGaN?完全沒有反向恢復電流導致的,這也說明CoolGaN?是完全沒有反向恢復電流和電荷的。即Qrr=0另外,在CoolGaN?關斷和開通狀態下的動態參數在右下表格中羅列出來了,包括:trr,ton,toff,以及ID,ID_pk……等。 從結果中可以看出,基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN?IGO60R070D1速度還是非??斓?,而且完全沒有反向恢復損耗。    。。。下接第23帖。。。。
射頻氮化鎵技術是5G的絕配,基站功放使用氮化鎵。氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)是射頻應用中常用的半導體材料,其中氮化鎵的優點還是挺多的,面積小,體積小,輸入電容小,反向恢復時間短,可以工作在很高的頻率,來減小電源體積。氮化鎵技術的優勢非常明顯,高性能,小體積,低熱損,但是大眾化還有比較長的一段時間。
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wxgsnake
LV.4
13
2019-07-19 18:45
開關關閉狀態時設置負壓,也適用于高頻開關電源中嗎?那么來回切換負壓、零和正壓,是否影響整體的反應時間啊。有沒有平衡點,及迅速又有很好的保護?
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2019-07-19 19:01
結合上述介紹,我們可以得知氮化鎵具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數小、導電性能好的特點,用其制作成的氮化鎵晶體管具有導通電阻小、結電容小和頻率高的優點,因此氮化鎵晶體管的導通損耗和開關損耗大約只有Si管的一半。不僅如此,在高速精密的工業機器人應用場合,GaN具有效率高、功率密度大的優勢,能極大縮小電路體積。氮化鎵晶體管沒有寄生的體二極管,所以不存在反向恢復損耗,其開關噪聲也比Si管小很多,這能減小失真和EMI。
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CDJ01
LV.5
15
2019-07-19 22:10

今年好多廠家跟風推廣GaN,好像不做GaN器件就落伍了。以前不知道是什么原因,看了這個帖子,有一點收獲。其一,GaN禁帶寬度大,擊穿電壓能做到很高,適合于高電壓高功率應用;其二,它沒有反向恢復,就能帶來高效率。但帖子沒講GaN器件的不足之處,是否可以多介紹一下,這個器件一直沒推廣開來,一是成本,還有肯定是有一些缺點吧,哈哈,了解不多,請懂得人多分享一些。

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wahaha1111
LV.1
16
2019-07-20 06:41
@CDJ01
今年好多廠家跟風推廣GaN,好像不做GaN器件就落伍了。以前不知道是什么原因,看了這個帖子,有一點收獲。其一,GaN禁帶寬度大,擊穿電壓能做到很高,適合于高電壓高功率應用;其二,它沒有反向恢復,就能帶來高效率。但帖子沒講GaN器件的不足之處,是否可以多介紹一下,這個器件一直沒推廣開來,一是成本,還有肯定是有一些缺點吧,哈哈,了解不多,請懂得人多分享一些。

現在gan越來越貨了,Gan器件確實非常不錯,英飛凌的gan更好,從參數看,測試參數很好,看了這個情況,發coolgan兩個片子間距

好小啊,不知做測試有沒有問題,這個器件管腳如何分布的,整體感覺蠻好,不知價格現在能不能讓工程師接受。

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wrtiger88
LV.1
17
2019-07-21 12:16
氮化鎵相比于碳化硅還是欠缺一點市場應用的空間以及設計人員的熟悉程度,不過隨著技術的不斷發展,氮化鎵應該有更好的發展前途,尤其是在高功率驅動方面。還有就是價格方面要是有很好的調整,估計市場推廣更方便,設計的工程師也會更多。
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jhcj2014
LV.1
18
2019-07-21 17:53
第三代半導體GaN的優勢,在文章里都講得很清楚,還有各位工程師也發表了很多補充及個人的理解觀點,在這里本人就不重復了。這里只想問下廠商或者知情者:薄膜結構的GaN在抗短路耐受力電氣性能上和SI、 SIC相比的測試數據,能否總結下給我們了解。
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wzp0214
LV.1
19
2019-07-21 21:12
      氮化鎵材料的功率器件具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強度大、飽和電子漂移速度高、介電常數小以及良好的化學穩定性等特點,特別是基于GaN的AlGaN/GaN結構具有更高的電子遷移率,使得GaN器件具有低的導通電阻、高的工作頻率,能滿足下一代電子裝備對功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。隨著GaN襯底材料進步,以及GaN器件本身所具有的優良性能,異軍突起的GaN功率半導體具有極其廣闊的應用前景,相信在不久的將來GaN功率器件會大量應用于軍事和民用的各個領域,使其成為高性能低成本功率管理系統解決方案。
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dianyuanhd
LV.1
20
2019-07-21 22:24

這個coolgan最大能夠支持多大電壓電流,內阻最小能達到多少,這個未來能不能替代igbt,目前igbt有很多缺點,

coolgan能代替igbt,在再低壓電源能夠提高電源效率,提高開關頻率,提高損耗,何時能夠降低價格、

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hkfiber123
LV.1
21
2019-07-21 22:32
@jhcj2014
第三代半導體GaN的優勢,在文章里都講得很清楚,還有各位工程師也發表了很多補充及個人的理解觀點,在這里本人就不重復了。這里只想問下廠商或者知情者:薄膜結構的GaN在抗短路耐受力電氣性能上和SI、SIC相比的測試數據,能否總結下給我們了解。

從上面看到的就是coolgan的優勢,參數都蠻好,都是一些性能參數,不知電氣參數如何,不如來個試用計劃,

讓工程師應用到板子,測測各種電氣特性,更好的評估性能來,這樣更好。

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drfhhh
LV.1
22
2019-07-21 23:00
@青龍出海
結合上述介紹,我們可以得知氮化鎵具有禁帶寬度大、電子遷移率高、介電系數小、導電性能好的特點,用其制作成的氮化鎵晶體管具有導通電阻小、結電容小和頻率高的優點,因此氮化鎵晶體管的導通損耗和開關損耗大約只有Si管的一半。不僅如此,在高速精密的工業機器人應用場合,GaN具有效率高、功率密度大的優勢,能極大縮小電路體積。氮化鎵晶體管沒有寄生的體二極管,所以不存在反向恢復損耗,其開關噪聲也比Si管小很多,這能減小失真和EMI。

評估板號小巧,vgs好小啊,這樣很好控制,怎么沒有電路圖,這樣看著就更方便,這個芯片之間的間距好小,要是有1000V以上

會不會打火之類的問題,實際驗證需要考慮更正耐受測試,更好更加體現coolgan的優勢。

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2019-07-22 10:50

。。。上接第2帖。。。


接下來再來看看實測基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN? IGO60R070D1工作波形



說明:

1通道為信號發生器注入的方波信號,頻率2MHZ。

2、3通道為經過門電路轉換后的相位差180度的PWM信號。

4、5通道1EDF5673K驅動IGO60R070D1VGS電壓波形。

6、7通道1EDF5673K驅動IGO60R070D1IGS電流波形。

8通道為BUCK電感電流波形。


電路圖如下:



測得的波形如下


從波形中可以看出:

1EDF5673K輸出給IGO60R070D1的驅動信號是包含負壓的,而且這個負壓并不是持續關斷CoolGaN?的,而是等另一個管關斷后會回升到0V來保持的,

這樣一來,既避免因為DV/DTDI/DT導致的干擾誤動作,也進一步降低了關斷維持的損耗,所需要的驅動電壓很低。

在關斷的時候會有一個比較大的負電流,也就是這個時候1EDF5673K在抽取IGO60R070D1控制端的電荷,其峰值電流接近-500mA,

這是為了保證管子可靠的關斷,避免于互補管在開通瞬間出現直通。

其驅動峰值電流不到300mA,對于僅需要不到20mA就可以完全導通的IGO60R070D1來說,300mA的驅動電流已經非常大了,能實現更快的開通速率。


總結:

        CoolGaN?將成為實現更高頻率、更高效率、更高功率密度電源的黑科技,

其優良的特性,包括無寄生體二極管、無反向恢復、可以雙向導通,可以實現更多完美的拓撲以及更高頻和高效的電源設計。

還具備更好的抗干擾性能和更低的開關損耗。配合英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K可以大大的簡化設計。


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飛翔2004
LV.10
24
2019-07-22 23:19
@javike
。。。上接第2帖。。。接下來再來看看實測基于英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K下的CoolGaN?IGO60R070D1工作波形[圖片]說明:1通道為信號發生器注入的方波信號,頻率2MHZ。2、3通道為經過門電路轉換后的相位差180度的PWM信號。4、5通道1EDF5673K驅動IGO60R070D1的VGS電壓波形。6、7通道1EDF5673K驅動IGO60R070D1的IGS電流波形。8通道為BUCK電感電流波形。電路圖如下:[圖片]測得的波形如下:[圖片]從波形中可以看出:1EDF5673K輸出給IGO60R070D1的驅動信號是包含負壓的,而且這個負壓并不是持續關斷CoolGaN?的,而是等另一個管關斷后會回升到0V來保持的,這樣一來,既避免因為DV/DT和DI/DT導致的干擾誤動作,也進一步降低了關斷維持的損耗,所需要的驅動電壓很低。在關斷的時候會有一個比較大的負電流,也就是這個時候1EDF5673K在抽取IGO60R070D1控制端的電荷,其峰值電流接近-500mA,這是為了保證管子可靠的關斷,避免于互補管在開通瞬間出現直通。其驅動峰值電流不到300mA,對于僅需要不到20mA就可以完全導通的IGO60R070D1來說,300mA的驅動電流已經非常大了,能實現更快的開通速率??偨Y:    CoolGaN?將成為實現更高頻率、更高效率、更高功率密度電源的黑科技,其優良的特性,包括無寄生體二極管、無反向恢復、可以雙向導通,可以實現更多完美的拓撲以及更高頻和高效的電源設計。還具備更好的抗干擾性能和更低的開關損耗。配合英飛凌的CoolGaN?專用驅動1EDF5673K可以大大的簡化設計。
        從帖子中學習加深了對GaN的了解,GaN比以往硅MOS提升了開關速度、效率和更高功率密度,因為固有的較低柵極和輸出電容可實現以 MHz的開關頻率運行,同時降低柵極和開關損耗,從而提高效率。GaN 不需要體二極管,因而消除了反向恢復損耗,并進一步提高了效率、減少了開關節點振鈴和 EMI,這種管子在在小型化的產品中有很大優勢,目前GaN價格還比較高,但應該是未來的趨勢。
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ae10257
LV.5
25
2019-07-23 10:32
在本帖子中更進一步了解到氮化鎵的優點,在開關電源方便,GaN可以大大提升了開關速度、效率和更高功率密度,但是目前 在這個行業中用的比較少,價格比較高,性價比方便沒有什么優勢。相信產品越來越嚴格 EMI等測試要求 會推動GaN市場的發展。
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zhuxuanwei
LV.4
26
2019-07-23 10:40
英飛凌的cool MOS與普通的MOS管有哪些區別?它對提高電源的效率有哪些幫助?怎么通過電源的設計值來選擇cool MOS的參數值?cool MOS對電源的EMI有哪些方面的提升?
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2019-07-23 10:48
英飛凌的COOL功率元器件有哪些封裝?使用SOP封裝對散熱有沒有什么要求?在設計時是否需要增加散熱裝置,它的電氣安全距離怎么保證?
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zhushuhao
LV.3
28
2019-07-23 10:56
速度快,頻帶高,與硅等傳統的半導體材料相比,它能夠讓器件在更高的飽和電子遷移率、頻率和電壓下運行,英飛凌的功率器件的開關速度能夠達到多少?工作開關頻率最大可以達到多少?頻率升高對電源的EMI電路是否有影響。
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zhuguixia
LV.1
29
2019-07-23 11:27
英飛凌的COOL 功率器件有哪些封裝,除開貼片封裝還有哪些封裝,在設計時是否需要增加散熱器件,它的熱阻達到了多少?
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2019-07-23 11:31
英飛凌的COOL 功率器件有沒有負電壓的,也就是普通MOS所說的P溝道的MOS,它的開啟電壓需要達到多少才能導通?導通壓降達到了多少?
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chenwanchun
LV.1
31
2019-07-23 12:26
功率管的封裝多種多樣,在設計時怎么根據實際情況選擇功率管的封裝形式?而且每個形式的封裝有哪些優缺點?英飛凌的COOL MOS比普通MOS的價格貴了多少?
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