億微半導(dǎo)體原廠MOSFET銷售：
這是一個(gè)死命題，平面MOS和Coolmos的差異就在這里，同等面積大小的晶圓：PlannerMOS擁有較大的CISS和EAS能力，但是內(nèi)阻會(huì)偏大，好處是EMC效果好，抗沖擊能力強(qiáng)，缺點(diǎn)就是導(dǎo)通損耗過高，產(chǎn)品效率低；Coolmos可以擁有較小Rdson和Ciss，優(yōu)點(diǎn)是導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗都會(huì)變小，效率較高，但就是由于Ciss變小，使dv/dt和di/dt加大，導(dǎo)致產(chǎn)品EMC難過，尤其是對(duì)輻射影響較大，所以這個(gè)在設(shè)計(jì)之初就要做考量和平衡。