是不是由于MOS本身結(jié)電容還有電荷需要釋放才導(dǎo)致無法直接關(guān)斷。

這是電路決定的，不是超結(jié)MOS的特點，0電壓關(guān)斷，降低損耗。。

一，MOS管的寄生二極管有個反向恢復(fù)；

二，MOS管不是從驅(qū)動電壓開始變小就開始逐步關(guān)斷的，而是驅(qū)動電壓小于關(guān)閉電壓才開始逐步關(guān)斷的；

三，DS間的電容充電需要時間

再說一句，這種現(xiàn)象有點類似零電壓關(guān)斷，極大降低關(guān)斷損耗，對效率有好處

上圖是PFC電路MOS測試波形，黃色輸Vds，藍色是Vgs，在Vgs已經(jīng)降到關(guān)斷電壓后，有延時122ns,MOS Vds開始上升。功率減小，這個延時會增加。

如果是電容需要充電，那么應(yīng)該體現(xiàn)出結(jié)電容充電，Vds上升啊，就向LLC電路MOS的Vds似的。

主要是Vgs和Vds之間的延時，在Vgs已經(jīng)下降到關(guān)斷電壓后，MOS的Vds立刻沒有上升。

這個波形，Vgs出現(xiàn)了極其明顯的米勒平臺，且產(chǎn)生了嚴重的自激震蕩。。。

建議：。。。。。