landeng：
申請理由：1.SiCMOSFET在很多領(lǐng)域?qū)⑷〈鶬GBT，但驅(qū)動比較復(fù)雜，希望通過開發(fā)板做一定評估2.SiCMOSFET是很多國外知名廠家將來的應(yīng)用主力器件，經(jīng)過研發(fā)測試即將推向市場，希望利用本次開發(fā)板的機(jī)會，掌握器件的動態(tài)與保護(hù)特性，為新產(chǎn)品的開發(fā)做技術(shù)支撐。3.熟悉ROHM公司的產(chǎn)品，希望開展合作。試用規(guī)劃：1.初步了解BD7682FJ-EVK-401電路原理，SiCMOSFET器件特性；2.上電測試，加三相AC400V輸入，帶24VDC負(fù)載進(jìn)行測試，對驅(qū)動、主回路、直流紋波、效率、功耗、溫升、器件的瞬態(tài)性能進(jìn)行測試3.結(jié)合現(xiàn)有工程進(jìn)行相關(guān)開發(fā)4.總結(jié)發(fā)帖