占樓編輯

申請理由：1. 學習羅姆siC-MOSFET及的波形

                         2.測試效率

                         3.為以后產品上應用打個基礎

試用規劃：1.測試驅動波形

                2.測試輸入輸出波形及效率

                3.學習板子的設計 

尊敬的主辦方：

本人是南京韋茲科技的新人所以本人對此很有興趣，本人的申請理由下：

1. SIC MOSFET 取代IGBT是趨勢，本人有做過IGBT的項目，現在想試用下SIC  MOSFET的評估板來和IGBT做個比較。

2. 未試用過羅姆的SIC  器件， 想以此機會評測羅姆公司的SIC 產品，也為本公司儲備器件供應商資料。

試用規劃是：

1.根據評估板的參 先評測下評估各項電源指標：效率、對應帶寬的紋波、澡音、電壓調整率、負載調整率、溫飄系數等；

2.與本評估板相類似功率的電源且使用IGBT器件的電源對行各參數進行比較優劣；

3.最后本網站發布使用心得。

申請理由:

1.本人自己按照參考圖做的板子，運行不起來。準備利用參考板對照一下，查找問題所在。

2.學習使用羅姆的Sic和驅動器IC產品，方便近期做SiC替代IGBT項目。

使用規劃：

1.評估參考板的各項指標，電壓調整率，負載調整率，效率和反饋環路的設計。

2.對比原來的IGBT方案，評估優勢。

3.購買羅姆產品，自己做設計，然后調試ok生產。

3.電源網發表心得。

伸請理由：

  感受新一代AC-DC（orDC-DC）方案與原來通用（如TL494,SG3525,及LLC）在全方位的驅動方面的改進程度 ；以及新催向的碳化硅之類的特性，及早進入新材料的領域.......

規劃：詳細消化羅姆提供的技術資料，結合之前常規開發手段其他電源方案，進行橫向和縱向對比，考量新方案在各種條件下的應用表現，若能和羅姆公司或資深開發行家真誠溝通，以變開出更完整合更接地氣的實用方案，等等

  

  付出努力，在摸投后，希望利用這羅目方案能構建一個實用可行或更完善的整體方案。

申請理由：1. 對于MOS管引用了解較多，我們預研的項目準備使用SIC。對于SIC有簡單的了解，但是實際SIC模塊沒有實際使用過

                         2.對比SIC模塊與MOS管的性能，

                 

試用規劃：1.測試DEMO板的相關性能指標，

                2.根據現在使用的SIC型號，尋找可以做替換的IGBT,測試相關性能指標；

                3.學習DEMO的相關布局

尊敬的主辦方：

本人是在校研究生，專業方向是電力電子方面的，對電源設計有濃厚興趣，曾多次參加電子設計競賽等相關活動，申請理由如下：

1. SIC、GaN是近年來大家一直提倡發展的功率器件，相比于 MOSFET 、IGBT更具有優勢，但是由于能力和精力有限，自己做的板子和工程實際應用還是有很大差距的，所以想申請貴公司的評估板                              研究一下。

2. 沒有使用過貴公司的相關產品，想借此機會了解一下，作為實驗室采購渠道的參考。

試用規劃如下：

1.根據提供的使用手冊先評測額定負載下板子的各項電源指標包括效率，紋波，負載調整率等，然后加大負載持續工作評估其穩定性。

2.針對于評估板的測量數據與其他商家相關類似的電源做對比分析；

3.最后本網站發布使用心得。

申請理由:驗證SIC電源電路與MOSFET電源電路在同等電壓/功率/溫度下的

            1.效率對比

            2.溫升對比

            3.可靠性對比

試用規劃:測試用于可否替代我現有系統中的三相輔助電源電路.

            1.先期測試樣件的各個工作狀態,負載變化率,極限工作電壓情況

            2.滿載狀態下,在老化箱內工作狀態

            3.負載異常及電路異常時,樣品的保護性能

申請理由:

1.我開發的產品中有多款用于三相電中，控制部分的電源本來是要求能夠只接任意兩線也能工作的，但試過多款電源，未有滿意的。

2.產品出口多個國家，應用場合多種多樣，對耐高壓要求嚴格。

3.可靠性對比，看是否能代替現有方案。

試用規劃:

            1.與現用方案對比測試各種參數。

            2.安裝到產品中，測試各種工況下電源的表現。

            3.購買羅姆產品，自行設計生產。

尊敬的主辦方您好：

      本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請貴公司的評估版，申請理由如下：

1.本人大論文課題是sic mosfet模型的研究，現在正在進行雙脈沖實驗，以后打算做一個基于sic mosfet的PFC電路，故想申請貴公司的評估板。

2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個產品的對比性實驗。

3.本人在恩智浦半導體實習，有幸了解到IGBT驅動的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅動和mosfet的驅動的差異主要體現在哪些方面，以及有多大。

       使用計劃：

1.做雙脈沖實驗，對比兩種產品的差異，以及動態特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。

2.用IGBT的驅動電路驅動sic mosfet，與貴公司的驅動電路進行對比，看優勢有多大。

3.測試基于sic mosfet的電源相關參數，如效率，功率因數，過流，紋波等。

主辦方您好，本人在職EE一枚，最近產品需求最近需要設計一款SIC的100~550V輸入的功率電源

申請理由及使用規劃：

1.因未接觸過羅姆的芯片，故申請目的更多在于評估羅姆SIC對比CREE SIC，新節能SI，英飛凌SI等管子的性能價格優劣

2.反激尖峰很好，測試學習RCD在不同變壓器不同繞法不同頻率情況下對于尖峰效率的影響

此外對評估板幾點表示懷疑：

1母線上限1000V為什么元件上了個600VAC的33nF MKP？

2初級側變壓器1HV+,3SW腳高達1.2KV極限脈沖電壓，絕緣間距這么小是否合適？

申請理由：

1.產品有此規格需要，目前用1500V的MOS，應力不合格

2.測試與目前使用的區別

3.同時測試一下QR芯片

規劃：測試樣板的各項應力是否符合標準

蘇州韻浩電源有限公司

1. 機器人電源模塊,現有方案復雜;

2. 現在有使用ROHM MOS R6015;

3.評估板測試各項電源指標：效率、對應帶寬的紋波、澡音、電壓調整率、負載調整率、溫飄系數等；

4.評估板可靠性測試；

5.與現有模塊對比;

6.最后本網站發布使用心得。

申請理由：

             1. 對比mos管與SIC之間的性能

             2. 在不同工況下測試效率、溫升、可靠性等因素

試用規劃：

            1.測試sic 的各種性能參數與現有的應用做對比。

            2.根據測試性能進行小批試制，測試。

東西是好，把輸入電解換成薄膜電容就比較漂亮了，3個電解瞬間拉低了可靠性，用這種3電容串聯的方案，可以不使用1700v的sic管子，用普通的3顆650v管子，一個管子接一個初級繞組回路，并到一個電解上，三個繞組同一個線圈，實現電容的主動均壓，和平攤mos應力，驅動就用雙管正激的驅動就可以了，只是多一個繞組而已。

申請理由：

一直都想做一款三相沒有零線的開關電源，奈何開關電源剛入門，沒有合適的方案。今天看到這個試用方案滿心歡喜，正是我需要的。1700V的高耐壓完全勝任3相電整流后的電壓。

二是看變壓器應該是EFD15，這么小的變壓器能做成24W，頻率應該不小，很好奇這個方案。

我的試用規劃是：

先整體評估一下工作參數，比如輸入電壓，輸出功率，效率，工作頻率，紋波等?？茨芊駶M足我的預期需求。

如能滿足，可能會自己做一套板子，用于商品化。

碳化硅MOS是好東西，我已經用了7-8年年多了

Rohm的SCT2H12NZ是1700V 1ohm的SiC MOSFET

Demo 板做的380V輸入其實都保守了，690V輸入都是OK的，功率做50-100W不是問題

好想申請來學習學習，奈何實力不允許

主辦方您好，我是在校電氣小碩，目前研究方向是LLC軟開關方面的，申請理由如下：

1. 我想測試對比一下，使用SiC器件的全橋拓撲的效率跟使用Si器件的LLC拓撲的相同功率的情況下軟開關效率方面能提高多少，查找SiC相關論文，在理論方面分析損耗的來源。

2，實驗室有用過GaN器件的師兄，采集電源數據和與GaN器件進行對比分析。

3，測出原理圖，學習PCB布局，爭取自己畫一套。

3. 將測試結果加到我的論文中，增加調試經驗，為找工作增加籌碼。

試用規劃如下：

1.根據提供的使用手冊先評測額定負載下板子的各項電源指標包括效率，紋波，負載調整率等，然后加大負載持續工作評估其穩定性。

2.在相同功率下測試實驗室LLC板子與評估板的效率差距，查找來源分布，采集GaN板子數據，進行與SiC的對比

3,畫出原理圖，出一份設計注意事項。

3.最后本網站發布使用心得以及軟開關效率分析文檔。

申請理由:之前使用過SiC和MOS管子，想學習下SIC 電源電路與MOSFET電源電路

            1.兩種產品的效率及功耗。

            2.工作頻率范圍。

            3.電源輸出的穩定性

試用規劃:測試電源DEMO板，后期設計進行參考.

            1.測試樣件的各個工作狀態

            2.測試滿載和輕載的效率

            3.電路的保護功能。

申請理由：

1. 感受SIC各方面的優勢  

2.對于氮化硅，我比較信賴ROHM                

3.我們公司是做電源驅動IC的，經常會去電源工廠推廣產品，在了解了SiC各方面性能之后，可給客戶工程師分享羅姆半導體SiC的優勢

試用規劃：

1.為本產品拍下美麗的照片，給網友們分享              

2.測試各項參數，如效率，并記錄數據，分享給電源網網友       

3.發個帖子，分享測試心得

申請理由：1.從事電源設計及測試工作將近20年

                2.參與過使用rohm公司SIC MOSFET 的產品開發，完成產品測試工作。所用產品型號SCT3040KL。

                3.公司主要做電源，測試儀器齊全。

試用規劃：1.驅動波形測試。

                2.效率測試

                3.熱測試 

                4.新產品開發考慮導入

申請理由：

1.MSOFET管的耐壓及應用設計有需求

2.測試學習，積累設計經驗。

3.Sic的設計學習

規劃：測試樣板的主要參數指標。

申請理由:以前一直使用MOS管，對SIC沒有了解過，想試用性能咋樣

            1.管子的功耗和發熱程度。

            2.導通時間。

       

試用規劃:測試一下這個電源板，和以往的MOS控制的板子對比

            1.滿負載工作時的功耗和效率

            2.主要的一些波形Vds，紋波等

      

申請理由：1. 帥

                  2.免費

                  3.抱著學習的態度

試用規劃：1.可能會拆成三個單相的AC/DC嘗試各種拓撲，比如不加RCD吸收的反激……

申請理由:1.對比下碳化硅與普通半導體的區別 2.測試下Rohm與其他家碳化硅的優劣勢 3.測試下該款產品的性能。規劃:測試該電源的輸入輸出特性，EMC測試，溫升測試等

申請理由：1. 公司在研發應用SiC的MOS

                 2.三相的電源應用，搭配用1700V的碳化硅，竟然這么強悍，有些好奇

                 3.為以后產品上應用打個基礎

試用規劃：1.用示波器了解，各個驅動MOS的驅動電壓和電流波形,證明SiC可以有1700V的應用

                2.測試該板子的電氣相關的參數

                3.學習板子的Layout設計 ，還有安規，傳導，輻射設計

申請理由：

1.SiC MOSFET在很多領域將取代IGBT，但驅動比較復雜，希望通過開發板做一定評估

2.SiC MOSFET是很多國外知名廠家將來的應用主力器件，經過研發測試即將推向市場，希望利用本次開發板的機會，掌握器件的動態與保護特性，為新產品的開發做技術支撐。

3.熟悉ROHM公司的產品，希望開展合作。

試用規劃：

1.初步了解BD7682FJ-EVK-401電路原理，SiC MOSFET器件特性；

2.上電測試，加三相AC400V輸入，帶24VDC負載進行測試，對驅動、主回路、直流紋波、效率、功耗、溫升、器件的瞬態性能進行測試

3.結合現有工程進行相關開發

4.總結發帖