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請問各位，有清楚這個問題的嗎？

驅動的波形肯定沒問題，因為UVW三路中只有U相這一路是這個樣，另外兩路沒這個現象。我把大電解電容靠近U相的IGBT安裝，則U相就不出現這個波形了，我換了IGBT模塊，也換了驅動板，都沒解決這個問題

因為從公式來看，電阻的功率只與雜散電感、電流的平方、開關頻率成正比，與電容的大小沒關系。我原來也是考慮按理說電容容量大了，吸收的能量多，那通過電阻的損耗也應該大啊！減小電容，應該可以減小電阻的功率，但是經過測試，不起作用！

現在我從電解電容到IGBT模塊之間的銅排長度減少了大約2/3，從0.6米減少到0.2米，現在RCD吸收電路的電阻溫升明顯小了，看來減少銅排長度可以明顯減小雜散電感啊！

我減少了電容，從0.68uf減小到0.22uF，但是電阻仍然很熱，電阻的溫升和減少電容前幾乎一樣，沒什么變化。

我原來在P、N之間只加了一個IGBT無感吸收電容，容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加過，但是電流加到接近滿載（80-90A），大約20多分鐘后，IGBT模塊炸了，連炸了3次，后來加了RCD吸收電路后，再也沒有炸模塊。

[圖片][圖片]我看放電阻止型RCD電路中電阻的功率只與雜散電感、電流極開關頻率有關系，與電容C的大小沒有關系啊！那改變電容C的大小影響不了電阻R的功率吧？我現在在靠近IGBT的位置，PN兩端又并聯了4組1000uF400V的電解電容，現在RCD電路中電阻R發熱不厲害了，稍微溫乎點兒，電流100A的時候溫度只升高了四五度，但是剛加的這4組電解電容溫度升高了大約20度，從30度升到了50度。