有沒有圖？

我看放電阻止型RCD電路中電阻的功率只與雜散電感、電流極開關頻率有關系，與電容C的大小沒有關系啊！那改變電容C的大小影響不了電阻R的功率吧？我現在在靠近IGBT的位置，PN兩端又并聯了4組1000uF 400V的電解電容，現在RCD電路中電阻R發熱不厲害了，稍微溫乎點兒，電流100A的時候溫度只升高了四五度，但是剛加的這4組電解電容溫度升高了大約20度，從30度升到了50度。

把RCD的D、R去除，只剩C，把R用最短的導線短路。也就是只剩兩個C直接并聯在IGBT模塊的正負兩端，這樣的尖峰電壓吸收效果比RCD更好，而且無任何發熱。

不知你從哪本胡說八道的書上看來的這種所謂RCD尖峰電壓吸收，寫書的人就是混稿費的。

我原來在P、N之間只加了一個IGBT無感吸收電容，容量0.47、0.68、1.0、1.5、2.0、2.5uf都加過，但是電流加到接近滿載（80-90A），大約20多分鐘后，IGBT模塊炸了，連炸了3次，后來加了RCD吸收電路后，再也沒有炸模塊。

我減少了電容，從0.68uf減小到0.22uF，但是電阻仍然很熱，電阻的溫升和減少電容前幾乎一樣，沒什么變化。

現在我從電解電容到IGBT模塊之間的銅排長度減少了大約2/3，從0.6米減少到0.2米，現在RCD吸收電路的電阻溫升明顯小了，看來減少銅排長度可以明顯減小雜散電感啊！

因為從公式來看，電阻的功率只與雜散電感、電流的平方、開關頻率成正比，與電容的大小沒關系。

我原來也是考慮按理說電容容量大了，吸收的能量多，那通過電阻的損耗也應該大啊！減小電容，應該可以減小電阻的功率，但是經過測試，不起作用！

"大約20多分鐘后，IGBT模塊炸了"

顯然不是因為過壓問題，而是開關損耗過大，過熱損毀。一般做通用變頻器是不需要RCD吸收來降低IGBT的開關損耗的，你的設計有問題。

首先，驅動FF200R12KT4的驅動電阻應該為2.4Ω，配合的驅動器應該達到5A的驅動能力。可用M57962L，這是必須的。

其次，頻率不宜太高，一般為5 --- 6kHz。

第三，必須有良好的散熱器和強迫風冷。