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對，我用的是電子負(fù)載，但是電子負(fù)載的精度是可以保證的，用了很多年了[圖片]

后面是通過一個插槽連接另一塊板子，但是在實驗時沒有插板，所以沒有后面的DCDC輸入電容，沖擊電流一般也只會出現(xiàn)在開通或者熱插拔的時候，我是緩慢增加負(fù)載出現(xiàn)燒毀情況。關(guān)于燒mos抓波形的實驗，由于我現(xiàn)在可實驗的板卡有限，所以我想多征求一下分析意見再進行這種實驗，還有有沒有在緩慢增加負(fù)載的情況下mos出現(xiàn)超SOA的可能

10A條件下DS壓差是22mv，GS是-11.36V，至于輸入輸出電容，在近端都沒有放置。

[圖片]這是PCB，控制GATE端的芯片是TI的TPS2363PFBR，功率部分的線路圖就是上圖，很簡單的PMOS實現(xiàn)的DCDC轉(zhuǎn)換，大多數(shù)情況下，兩相燒毀的是左邊的MOS

還有，不僅是IR的，仙童的，英飛凌的我都試過了，都是一樣的情況，但是我不知道具體原因出現(xiàn)在哪[圖片]