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你仿真的目的是？100v到50v你用20k？你先看看D2的模型合理不，加大TRR1

電解不用那么大，陶瓷顯然在這沒有薄膜好。我猜你是推挽拓補，薄膜電容放在變壓器附近，開關瞬間能量取自薄膜電容，電解再大也不起作用。陶瓷容量隨電壓變化大。不知你輸入端有共模電感沒有。

為什么要用電解電容呢，用兩個4.7uf的薄膜電容足夠了

限制功率的原因不是因為芯片在原邊，是因為反激的拓補原理。

R2是幫助reset磁芯的，主要電流路徑是二極管R3，然后回去。

R1=1kR2=1kR3=20你電阻值設的不對。

二次側二極管上加RCD吸收。

SYNC還有波形？不是應該懸空嗎。

是不是也可以減少倍壓的級數，每一級內用多個二極管串起來。這樣變壓器二次側的抽頭數量能少一點。

終于看到一個靠譜的回復，半橋理論上就不能用峰值電流控制。