linbaoming：
CoolMOS的開(kāi)關(guān)速度快，所以造成EMI容易超標(biāo)，在CoolMOS替換普通VDMOS的時(shí)候，適當(dāng)加大驅(qū)動(dòng)電阻，可以降低EMI，EMI問(wèn)題還是容易解決。至于雷擊和浪涌問(wèn)題，還是跟BV值、雪崩電壓、抗雪崩能力相關(guān)，在單級(jí)PFC電路里面應(yīng)用確實(shí)比較難過(guò)雷擊測(cè)試，需要前級(jí)多做一些吸收surge的措施；另外，提高變壓器的抗飽和能力，避免在雷擊的時(shí)候發(fā)生飽和，加大雪崩電流。目前很多客戶(hù)做單級(jí)PFC的LED電源，會(huì)遇到溫升問(wèn)題，使用CoolMOS之后效果還是明顯。