xiongls：
看了一上午的書,我自己總結一下吧,不對的地方多多指教.首先FET分為JFET和MOSFET,也就是結型場效應管和金屬-氧化物-半導體場效應管,二者對電壓控制電壓的實現方法不一樣,但結果都是用GS電壓去控制DS電流.而且都分為三個區(qū)域,可變電阻區(qū)恒流區(qū)和擊穿區(qū).以N-MOSFET增強型分析,不管其用與放大還是開關都是工作在恒流區(qū)(在開關電源我只用到其做開關用的,沒玩過模擬,所以具體的信號放大電路沒用過),在恒流區(qū),IDS跟VDS無關,只由VGS決定.以2N7000為列(下圖),開啟電壓為2.1V,由輸出特性圖上可看到IDS的最大值是和VGS有關系的,但是當VGS大于10V時,IDS達到其最大值,此時再增加VGS已沒意義.而在VGS從3V-10V變化時IDS的最大值(對應于RDS的最小值)是跟VGS密切相關的.這就是為什么用做N-MOS用最開關管時一般驅動電壓都會大于10V的原因.回到用在運放恒流上的問題(第一貼),我覺的這要分兩個方面來考慮:1、VGS》VT(開啟電壓)且VGD=VGS-VDS《VT及VDS〈VGS+VT時,FET工作在可變電阻區(qū),在這個區(qū)域內通過改變VGS的值來改變斜線的斜率也就是DS之間的電阻,從而改變輸出電流IDS,達到恒流目的.2、VDS〉VGS+VT時,工作在恒流區(qū),而此時VGS〈10V,IDS由VGS的值控制,改變VGS就改變了可輸出的最大電流,達到恒流目的.[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/83/2946501258179457.gif');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">以上!謝謝……