看了一上午的書,我自己總結一下吧,不對的地方多多指教.
首先FET分為JFET和MOSFET,也就是結型場效應管和金屬-氧化物-半導體場效應管,二者對電壓控制電壓的實現方法不一樣,但結果都是用GS電壓去控制DS電流.而且都分為三個區域,可變電阻區恒流區和擊穿區.
以N-MOSFET增強型分析,不管其用與放大還是開關都是工作在恒流區(在開關電源我只用到其做開關用的,沒玩過模擬,所以具體的信號放大電路沒用過),在恒流區,IDS跟VDS無關,只由VGS決定.以2N7000為列(下圖),開啟電壓為2.1V,由輸出特性圖上可看到IDS的最大值是和VGS有關系的,但是當VGS大于10V時,IDS達到其最大值,此時再增加VGS已沒意義.而在VGS從3V-10V變化時IDS的最大值(對應于RDS的最小值)是跟VGS密切相關的.這就是為什么用做N-MOS用最開關管時一般驅動電壓都會大于10V的原因.
回到用在運放恒流上的問題(第一貼),我覺的這要分兩個方面來考慮:
1、VGS》VT(開啟電壓)且VGD=VGS-VDS《VT及VDS〈VGS+VT時,FET工作在可變電阻區,在這個區域內通過改變VGS的值來改變斜線的斜率也就是DS之間的電阻,從而改變輸出電流IDS,達到恒流目的.
2、VDS〉VGS+VT時,工作在恒流區,而此時VGS〈10V,IDS由VGS的值控制,改變VGS就改變了可輸出的最大電流,達到恒流目的.

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以上!謝謝……