劉劉牛牛：
我有限的針對(duì)參與討論幾點(diǎn)：1：Y電容高壓側(cè)最常見的接法是單獨(dú)連接至電容負(fù)極，也有見連接正極的，也有因?yàn)镻CB布線空間限制就近連接至高壓側(cè)負(fù)極網(wǎng)絡(luò)上。我估計(jì)最佳的連接方法應(yīng)該是單獨(dú)連接至電容負(fù)極，其它都是折中方案。經(jīng)驗(yàn)有限，我不清楚實(shí)際對(duì)于EMI有多少微妙的差異。2：一般電阻靠近IC，因?yàn)镃S腳是弱信號(hào)易受干擾。3：應(yīng)該只是指驅(qū)動(dòng)電阻？個(gè)人感覺(jué)應(yīng)該靠近MOSG極，從而減小G電容對(duì)EMI的不利影響？4：初級(jí)RCD是為吸收初級(jí)線圈漏感產(chǎn)生的尖峰，所以布局上貼近變壓器初級(jí)線圈，盡量縮小環(huán)路面積；次級(jí)是為吸收整流管的振鈴，布局上應(yīng)該貼近整流管并盡量縮小環(huán)路面積。至于電容位置有無(wú)特別講究，這個(gè)我也沒(méi)有一點(diǎn)點(diǎn)概念，坐等大師分解。