以下計算步驟和參數參考sinican大師的帖子：http://m.daogou-taobao.cn/bbs/1454589.html
設定條件：磁芯EFD30（AE=69mm2），輸出5.3V 8A，效率80%，D=0.45，頻率65K
輸出功率 Po = 5.3V * 8A = 42.4W
輸入功率 Pin = Po/η = 42.4W/0.8 = 53W
輸入最低電壓 Vin(min) = Vac(min)*sqr(2) = 85Vac * 1.414 =
120Vdc
輸入最高電壓 Vin(max) = Vac(max)*sqr(2) = 265Vac * 1.414
= 375Vdc
輸入平均電流 Iav = Pin/Vin(min) = 50W/120Vdc = 0.442A
輸入峰值電流 Ipeak = 4 * Iav = 1.767A
原邊電感量 Lp = Vin(min) * Dmax/(Ipeak * Fsw) =
120Vdc * 0.45/(1.7667A * 65K ) = 470 uH
初級匝數Np = Vin(min)*Ton/(ΔB × Ae) = 120Vdc * 6.92us/(0.2 * 69mm2) =60T
計算變壓器 5.3V 主輸出的匝數輸出電壓(Vo):
5.3Vdc整流管壓降(Vd): 0.5
Vdc繞組壓降(Vs): 0.3（過于理想？）
Vdc原邊匝伏比(K) = Vi_min / Np= 120 Vdc / 60 T = 2
輸出匝數(Ns) = (輸出電壓(Vo) + 整流管壓降(Vd) + 繞組壓降(Vs)) / 原邊匝伏比(K)= (5.3 Vdc + 0.5Vdc + 0.3Vdc) / 2 = 3T (取整)
輔助供電繞組電壓12V，取6T
以上計算結果有不合理之處請大師們指正。順便請教幾個問題：
1：按照sinican的計算方法，初級感量Lp貌似不是必須計算的步驟？因為在關鍵的初次級線圈匝數計算里并不需要Lp參數計算。
以本例給定的參數，Lp與Np能否合理對應？我尚不了解此中關系，請指教。
2：次級取整3T，反射電壓Vor將達到60/3*5.6V=112V，MOS承受的最高電壓=375+112+120=607V，已經超出600V耐壓的MOS承受能力。Ns取4T，也會高達375+120+84=579V，是否安全？另外Ns取4T會帶來哪些不良影響（暫不考慮次級線圈壓降增大帶來的效率損失）
以上120V值參考：http://m.daogou-taobao.cn/bbs/672310.html
4：次級電流較高，采用多股并饒與銅箔線圈哪個工藝性較好？
5：多數教科書里提到的氣隙如何確定？變壓器廠商通常有把握經驗？
