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Infineon有成熟的，你所需要的方案

你去問品佳吧，我也不清楚價格。。。。。

對。。。。。。PFCInfineonIPP60RXXCP (CP系列MOS)LLC InfineonIPP60RXXP6(P6系列MOS)SRmosorD2D用InfineonNewoptimusSO-8封裝PFCICICE3PCS01LLCIC ICE2HS01G

建議采用infineon的ICE2HS01G，此IC直接集成同步整流。。。。你采用TEA1795在輕載紋波和短路測試,元件應(yīng)力肯定過不了。。。。。。。。。

早期的晶振選用的是1MHz，66.7*15=1MHz,對ICDesigner來講很好取值，然后大家follow這個習(xí)慣就得到了，133kHz也是這樣的原因

Infineon的CP系列的MOS，Infineon建議G腳加磁珠的。。。。而且CP系列用在PFC上是可以獲得最好的效率，

1200瓦如果還是CM6800硬開關(guān)，別的不說，EMI就夠你整的

你可以看L6562的applicationnote，寫得很清楚。。。。然后要確保的是在輸入電壓最高點,比如264V的時候，ZCD腳仍然能夠清楚的檢測到ZCD信號，ZCD的上限是1.4V。。以此為基礎(chǔ)來定義圈數(shù)比。。。。。雖然此腳的電流source/sink 規(guī)格很大，為了效率，一般定義一個1mA左右就足夠了。。。。。非常容易理解和計算

1.此ic進入burstmode狀態(tài)2.增大一次側(cè)圈數(shù)3.

我還是那個看法，從ic的角度來看，你此時Vcc非常穩(wěn)定，IC就認為外在一切都是OK，你在電壓從正常400V掉到異常200V的情況下，你不是去設(shè)法去關(guān)掉Vcc，而是讓ICVCC一直保持跟正常工作電壓一樣，那是不對的。。。。這個問題仁者見仁智者見智