電導調(diào)制效應又稱基區(qū)寬度調(diào)制效應,屬于半導體物理的范疇了.就是指基區(qū)的有效寬度隨集電結(jié)的反偏電壓的變化而變化的效應.當集電結(jié)反向電壓增大時,集電結(jié)的空間電荷區(qū)加寬,這就引起基區(qū)有效寬度變窄.因而載流子在基區(qū)復合的機會減小,所以基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小,也就是基區(qū)有效電導增大,因此又叫電導調(diào)制效應

GTR深飽和的時候,集電極正偏,就會有額外的電子從集電極注入到基區(qū),為了保持基區(qū)的電中性,基區(qū)就要積累更多的空穴,也就四是說基區(qū)的多子增加,從而改變基區(qū)的電導,飽和程度越深,電導調(diào)制效應越嚴重

GTR因為有電導調(diào)制效應,因而有較低的導通電阻,具有較小的通態(tài)壓降.

“基極電流Ib隨集電極反偏電壓增大而減小,也就是基區(qū)有效電導增大”?是不是應該有效電導減小?

對了,謝謝提醒,應該是減小,現(xiàn)在長時間沒涉及到電導,下意識的當成電阻在處理了

“似的其電阻率明顯下降”是打錯字了，“使其電阻率明顯下降”