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不錯,電流是電子能量的傳遞,就像多米諾效應(yīng)一樣.電子本身的振動是很微小的,但一旦有電場存在,電子就朝著電場相反的方向傳遞能量,速度就是電場的速度,也就是光速.

1.MOSFET是電壓型驅(qū)動器件,輸入阻抗很大,驅(qū)動電流很小.2.EMI濾波電感并不是線徑越大損耗越小,它有個最優(yōu)線徑,以及如何繞制的,最好不要疊繞,此外磁心的材質(zhì)是否選用合理也是損耗較大的因素之一.

電場的建立,另外如果是電子的流動,電流建立起來不會那么迅速.

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不同于廠商的磁損計算公式,由于他們提供的是基于正弦波激勵的損耗公式,因此需要做等效頻率的計算在先.此外,還要留出一次冪的開關(guān)頻率出來,剩下的按等效頻率來計算.

一般廠商會提供計算鐵損的計算公式,銅損部分需要自己計算.銅損主要是DC和AC損耗,中間要用到Dowell公式計算AC電阻.

請問為什么既要提高頻率又要提高Br?一般在軟磁材料中,為了減小體積尺寸,提高對外加磁場的反應(yīng)能力,要求Br要小,你為什么要提高它?有什么應(yīng)用上的考慮嗎?

shixiaemail@163.comthanksalot!!!

AnsoftEMTHANKS!!!

我想了解AnsoftEM軟件的使用說明，謝謝！！！