我覺得B的接法更合理，也最常用，符合GS電阻應(yīng)該盡可能靠近管腳的原則

柵極放電電阻在兩邊MOS管打開時都時不起作用的，起作用的是在死區(qū)時，也就是兩管都關(guān)閉時能防止管子誤導(dǎo)通。所以理論上兩種接發(fā)作用都一樣。

但是實際測量發(fā)現(xiàn)圖B接法溫度低10度左右，所以有點奇怪

估計是受到干擾了...

如果在0.02R這個電阻的分布電感上有很高的毛刺就會影響死區(qū)放電了。

這個怎么測試出來，或者如何改善？

圖A，0.02R過流采樣電阻兩端會有電壓脈動，雖然非常小，相當(dāng)于和電源等頻率的小脈動信號，是會調(diào)制干擾下拉電阻R23R25回路，造成泄放回路脈動震蕩。圖B跳過干擾源，就避免這一現(xiàn)象的產(chǎn)生。

并管MOS結(jié)電容加倍，需要更強勁的推拉電流實現(xiàn)對MOS快速驅(qū)動，可以考慮對驅(qū)動信號放大，如圖騰柱，驅(qū)動芯片。

另外并管不可共享柵極驅(qū)動電阻R21R22，也不可共享下拉電阻R23R24，各管必須各自有獨立柵極驅(qū)動電阻和下拉電阻。