仿真的帖子刪除，來點實際的。

圖1

如上圖所示MOS管的驅動電路（PMOS圖上畫錯，正確的應該是S級接18v）。

分析如下

當Vb輸入低電平時，Vg也為低電平【1】，|Vgs|≈18v，MOS管導通，上下兩個三極管都不導通。

當SE555輸出高定平時，即Vb為高電平，三極管8050導通，三極管工作在放大區（Vbe＞Von && Vce＞Vbe），Vg=Vb-0.7=15-0.7=14.3（近似值）。|Vgs|≈18-14.3=3.7,  MOS管為完全關斷。

我有幾點疑問希望可以有人給我解惑  

【1】為什么Vg為低電平，如果兩個三級管都沒有導通，為什么會出現低電平？

對于這個問題，我有兩個猜測，

1）,用萬用表測試的不正確，Vg實際上是高阻態。

2) ,Vg的低電平，是由于三極管的漏電流產生的。

不知道大家認為哪個靠譜一些，或者有其他可能的原因，還望大家多多指導。

對于以上理論分析，下面是幾組測試數據

圖2

|VGS| /V      PMOS 的D級  /v 4.153           18.041 3.916          18.024 3.416           8.637 3.876           0.494 2.384          0.461       表一

實際測試過程中使用的是PMOS型號為IRF5305

分析：圖1中使用的電路，無法完全關斷MOS管，且在工作過程中，下邊的三極管8550，一直沒有工作。

為了驗證8550沒有工作，把8550用電阻替換，如下圖所示

圖 3

更換后，奇跡的事情發生了，MOS管可以正常的工作也可以關斷，就是出現一個不好的現象，當Vb輸入最大時（約15v），VGS最小電壓為3.315比表一中的要大，輸出電壓也較高，測試R6為2.5K.然后繼續增大R6至11K,VGS最小電壓為3.257v，輸出電壓為2.409v，有效果，但是效果不明顯。

還有一點就是圖1中R16(50K)電阻對電路的影響，我試過去除，發現這個電阻對電路的影響微乎其微，也可能是我分析，測試的不對，希望大家可以指正。

希望找到，輸入電壓低的，但是可以完全關斷的電路，，，