rrcc頻率分析
關于rcc的頻率問題，大家曾經討論過不少，我現在回想起以前的理解發現也有不少錯誤的地方，現在想重新整理一下思路，希望大家多指正。首先有如下關系:
f=1/T
T=Ton+Toff
首先我們要搞清楚Ton和Toff的轉折點，影響這個轉折點的原因有很多，我們把電路最簡化，有利于分析rcc振蕩原理
1.基極二極管和基極電容，以前我發過一個帖子分析基極二極管和基極電容，現在看來也有問題，這兩個元件不是影響頻率的比要原因，更基本的rcc電路本身可以沒有這兩個元件，只有一個基極電阻也是可以的，更甚至在小功率里沒有這個基極電阻也是可能的。
2.啟動電阻也不是rcc電路的必須元件，只是沒這個元件可能不容易啟動。
3.反饋環路，如果不需要穩壓，開環也是可以的，因此開環也可以去掉。
到現在我們最簡化的rcc電路只剩下了一個開關管，一個初級線圈，一個次級線圈，一個反饋線圈，一個次級二極管，負載電阻。
如果開關管和變壓器是理想元件，這個電路是無法工作的，因為理想元件變壓器不會飽和，開關管也不會飽和，這樣一直是正反饋，電路根本不會反轉，但是如果我們讓其中的一些元件現實化，這個電路就可能工作起來。
首先我們假設開關管不是理想的，變壓器是理想的，那么開關管就可能飽和，飽和后流過開關管的C極的電流不能繼續增加，磁通變化率降低到0，反饋線圈的電壓也下降，開關管驅動不足，最終可以反轉進入到關閉環節。
其次我們再假設開關管是理想的，變壓器不是理想的，那么變壓器總有一個時刻是飽和的，飽和后磁通變化率也將下降到0，反饋線圈的電壓也下降，開關管驅動不足，最終可以反轉進入到關閉環節。
現實情況是開關管和變壓器都不是理想的，因此電路將和木桶理論一樣，最低的短板決定儲水量，開關管和變壓器哪個先飽和，哪個就起作用促使電路反轉。
其他電路都是在最基本的電路基礎上添加各種元件改善基本電路的性能。
因為通過飽和方式來進行反轉損耗比較大，因此一般是通過限流的方式來實現磁通量變化率降低為0的，限流的方式有分為多種，B極限流,E極限流。其中B極限流又分為串電阻和串電容限流或者是兩者結合。如果通過B極電阻限流，C極最大電流IcMax=Ib*hfe,通過B極電容的方式稍微復雜，因為電容通過的電流和頻率相關，但是我很喜歡通過B極電容限流這種方式，因為這種方式驅動損耗大大減小了，但是B極電容限流這種方式有個問題就是在頻率較低的情況下，電流較小，功率難以做大，因此出現了B極電容并二極管的電路，不加二極管的時候B極電容可以限流，加上二極管后電流可能變的很大，一般為了保護開關管，一般會配合E極限流一起使用。說了這么多方式最本質性的還是一個，使磁通變化率下降到0，反饋線圈電壓下降，驅動不足，實現反轉。
上面我們分析了Ton到Toff的轉變時間點，現在再來分析哪些因素影響Ton和Toff。
反激電路本質上講就是一個電感，能量轉換過程就是對電感充電和放電的過程,充電時間Ton，放電時間Toff,對于開環電路，這兩個過程是相互獨立的，彼此不受影響，所以初級條件的變化只影響Ton，次級的變化只影響Toff，T=Ton+Toff一起才影響頻率f。
Ton：不論哪種形式，在磁通變化率下降為0時有個最大安匝數，所有影響達到安匝數的因素都會影響Ton的大小，對于給定的變壓器，匝數是固定的，那么變化的就是電流，也就是初級最大電流IcMax，Ic=Uin*Ton/Lp,IcMax恒定，那么電壓越高，達到IcMax的時間Ton就越短,如果輸入電壓恒定，那么初級電感越小，達到IcMax的時間Ton也越短。
Toff：影響Toff的只有次級邊條件的變化，Toff的過程就是一個電感放電的過程，電感放電有個特點，遇強則強，遇弱則弱，對于電阻負載，電阻越大，放電電壓越高，功率越大，放電時間越短，極端點兒，電阻為0，就成了超導體儲能電感，電流永久持續Toff趨向于無窮大，電阻越大，放電時間Toff越短。對于電容負載，電容上的起始電壓越高，電感放電時間越短。對于輸入電壓恒定，負載越大，一般次級電容上的電壓也被拉的越低，放電時間Toff越長，這也是普通的Rcc隨負載頻率降低的原因，實際上我們可以改進一下電路完全可以實現負載越重頻率越高，做成頻率正比于輸出功率的一個RCC來，關鍵點在于我們要做出一個電感放電條件不隨輸出功率變化而變化的一個電路來。
我作為一個電子業余愛好者，對這個RCC電路很是著迷，一直想搞清楚具體原理，但是搜遍網上，眾說紛紜，難辨真偽，最后用自己的看法重新分析了一下這個電路的頻率關系，希望大家多多指正不足之處，我也知道在IC如此便宜的時代可能這樣一個自激電路適用范圍已經大大降低，但是正確理解這個電路的動作模式對于其他電路的制作也有利無害。
，如果對效率要求很高的話可以試下吧，我還沒有見過這種結構的應用呢。
這段時間確實復習了下MOS，仍只能區分它與BJT的區別是一個為電壓控制，一個為電流控制，關于控制這里兩者意義相同吧，MOS驅動電壓變化，其漏極電流曲線就變化，與BJT的控制電流變化導致IC曲線的變化意義相同，其它的本質上的區別在實想不出來。
，上班還早，發兩個圖標玩玩。
