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PI公司 2017-12-21
| 咨詢：xxbw6868 | InnoSwitch3相比之前的InnoSwitch的產(chǎn)品性能上做了哪些比較大的提升？比如空載空耗，效率等方面提升了多少？ |
| 回復：閻金光 |
最直接的性能表現(xiàn)就是效率的提升。我們對初次級開關(guān)的開關(guān)時序進行了優(yōu)化同時引入了準諧振的開關(guān)方式。再者由于其采用了不同于前一代產(chǎn)品的控制方式，消除了電源中音頻噪聲的出現(xiàn)，從而可以輸出更高的輸出功率。最后，在封裝方面進行了改善，使得IC更加適合于小體積電源的設(shè)計。 |
| 咨詢：zhucanchun | 工程師可以利用高效率降低元器件的成本，從而降低整個適配器的成本。這是為什么了？ |
| 回復：閻金光 |
有時客戶并不需要94%的高效率。假設(shè)客戶只需要滿足90%的效率指標要求。那么意味著客戶可以選用更小體積的變壓器、更細的輸出電纜、更便宜的輸出整流MOSFET，從而可以犧牲效率而轉(zhuǎn)換為整個電源以更低的成本來實現(xiàn)。即實現(xiàn)了系統(tǒng)成本的優(yōu)化。 |
| 咨詢：linger223 | 三種不同的InnoSwitch3子系列各有什么不同 |
| 回復：閻金光 |
CE主要做有恒流特性要求的應用，比如充電器。 CP主要針對有恒功率特性的應用，比如快充應用。 EP主要針對僅有過流要求的應用，其MOSFET耐壓也更高，適合于嵌入式電源的應用。 |
| 咨詢：zhuxuanwei | PI芯片在大功率方面是哪個系列的IC，有沒有具體的功率選型表 |
| 回復：閻金光 |
大功率的IC我們有Hiper系列的產(chǎn)品，可以參考我們的網(wǎng)站。HiperPFS 用于PFC應用；HiperLCS用于LLC的拓撲應用； HiperTFS用于雙管正激的應用。另外還具有類似于碳化硅特性的Qspeed二極管系列。 |
| 咨詢：kangliao | 每個子系列都應對不同的市場應用進行了細分優(yōu)化,為什么需要分化？ |
| 回復：閻金光 |
不同應用的特點有所差異。比如充電器應用，要求電源具有恒流輸出特性，而快充應用有時又要恒功率輸出特性，而這兩種應用一般來說650 V的MOSFET耐壓就夠了。對于家電等嵌入式電源的應用，其更在意更高的耐受雷擊余量，因而我們集成的是725 V的MOSFET，使得其可靠性更高。不同子系列針對不同的應用，使得客戶的設(shè)計更具性價比。 |
| 咨詢：zhuxuanwei | 工作在哪個模式里？ |
| 回復：閻金光 |
IC會根據(jù)具體輸入電壓及負載條件進行各個模式間的自動無縫切換，無論CCM、DCM還是準諧振的QR均不用設(shè)計人員擔心。 |
| 咨詢：tabing_dt | InnoSwitch3最大功率可以做到多大，之前的版本最大功率只能夠到25W，還有這款內(nèi)部是否有集成PFC功能的電路? |
| 回復：閻金光 |
目前如果不采用前級PFC情況下，可以做到寬電壓輸入范圍的55 W的輸出功率。因其獨特控制方式，不必擔心音頻噪音問題，進而其輸出功率可以更大。 這款I(lǐng)C不具備PFC功能。 |
| 咨詢：gdpjsx | 內(nèi)部有集成MOSFET么，電壓是多少的？？ |
| 回復：閻金光 |
內(nèi)部有集成初級側(cè)的功率MOSFET。CE、CP系列的是650 V耐壓。EP系列的是725 V耐壓MOSFET。 |
| 咨詢：zhyouer | 可以滿足5000米海拔（9.5mm爬電間距）的CQC要求嗎？ |
| 回復：閻金光 |
Insop封裝提供大于11 mm的爬電間距要求，因而可以輕松滿足。 |
| 咨詢：zhuguixia | PI的InnoSwitch3系列除了高效以外，元器件的數(shù)量也比較少，這樣適合在體積限制的場合，那它會不會對外圍的元器件有選擇性？ |
| 回復：閻金光 |
該系列IC還是采用傳統(tǒng)電源中的次級側(cè)反饋的控制方式，及輸出電壓和電流均在次級側(cè)進行采樣反饋，因而不會像初級側(cè)反饋控制方式一樣其特性受外圍元件影響。所不同的是我們是利用Fluxlink進行信息傳輸，無需傳統(tǒng)電源中常用的光耦。 |
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