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恩智浦半導(dǎo)體 2015-08-19
| 咨詢(xún)：herry_chow | 你好，我們把MOSFET用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)中，經(jīng)常有1%的產(chǎn)品有燒毀造成短路現(xiàn)象，怎么去改善這一點(diǎn)呢？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
需要具體參考是那種失效模式，可以參考NXP 應(yīng)用指南 http://www.cn.nxp.com/documents/application_note/AN11243.pdf |
| 咨詢(xún)：perfect_fxl | Mosfet的關(guān)鍵參數(shù) |
| 回復(fù)：謝宇 |
馬達(dá)應(yīng)用中的關(guān)鍵參數(shù)主要有Vds，Idmax,Rds(on) ,Eas 和Rth。 |
| 咨詢(xún)：白月 | NXP的MOSFET應(yīng)用在什么電壓范圍？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
恩智浦mosfet現(xiàn)在主要有25V,30V,40V,60V,80V和100V |
| 咨詢(xún)：meiguihai | 馬達(dá)中的MOSFET中的關(guān)鍵參數(shù)是多少 |
| 回復(fù)：謝宇 |
馬達(dá)應(yīng)用中的關(guān)鍵參數(shù)主要有Vds，Idmax,Rds(on) ,Eas 和Rth。 |
| 咨詢(xún)：qhllzzhh | 你好，看如何確定MOSFET管的耐壓？（如：24V電機(jī)驅(qū)動(dòng)用MOSFET的Vds電壓如何確定） |
| 回復(fù)：謝宇 |
一般取1.5~2 Vin |
| 咨詢(xún)：cquwuqiang | 馬達(dá)中應(yīng)用的mosfet是多少電壓、電流等級(jí)？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
mosfet的電壓電流需要由輸入的電壓和輸出的功率來(lái)決定 |
| 咨詢(xún)：micro-wu | 請(qǐng)問(wèn)NXP的馬達(dá)用MOS寄生的體二極管回復(fù)特性如何？工藝制程上有做過(guò)如何處理嗎？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
恩智浦mosfet的體二極管為類(lèi)肖特基二極管，采用軟恢復(fù)特性，有利于EMI測(cè)試 |
| 咨詢(xún)：陌路絕途 | LFPAK封裝的散熱優(yōu)勢(shì)具體是？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
NXP LFPAK采用銅clip技術(shù)，mosfet內(nèi)部沒(méi)有g(shù)lue ，沒(méi)有銅線，所以散熱Rthjc會(huì)比較小，最高溫度可以達(dá)到175攝氏度 |
| 咨詢(xún)：白月 | LFPAK封裝與普通封裝有什么區(qū)別？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
http://www.cn.nxp.com/products/mosfets/standard_mosfets/#description |
| 咨詢(xún)：WadeLin | 現(xiàn)在接觸的項(xiàng)目很多都需要使用到馬達(dá)，請(qǐng)問(wèn)在選擇MOS的時(shí)候，需要注意哪方面的？ |
| 回復(fù)：謝宇 |
馬達(dá)應(yīng)用中的關(guān)鍵參數(shù)主要有Vds，Idmax,Rds(on) ,Eas 和Rth。 |
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