用芯去溝通：
氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議（1）所應(yīng)用系統(tǒng)由于某些原因必須工作于超過200KHz以上的頻率，首先碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；若工作頻率低于200KHz，兩者皆可使用；（2）所應(yīng)用系統(tǒng)要求輕載至半載效率極高，首先氮化鎵晶體管，次選碳化硅MOSFET；（3）所應(yīng)用系統(tǒng)工作最高環(huán)境溫度高，或散熱困難，或滿載要求效率極高，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；（4）所應(yīng)用系統(tǒng)噪聲干擾較大，特別是門極驅(qū)動干擾較大，首選碳化硅MOSFET，次選氮化鎵晶體管；（5）所應(yīng)用系統(tǒng)需要功率開關(guān)由較大的短路能力，首選碳化硅MOSFET；（6）對于其他無特殊要求的應(yīng)用系統(tǒng)，此時根據(jù)散熱方式，功率密度，設(shè)計者對兩者的熟悉程度等因素來確定選擇哪種產(chǎn)品。