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管子是耐壓30V的P－Ch，應用在12V的電源中，耐壓木有問題我覺得最大的可疑之處是C2940.C2941,相當于增加了管子的結電容，另外導通速度變慢！最終造成過熱失效準確原因，要對壞品開帽分析

第一個，在測量LLC的MOS管的開關損耗時，電流為負時，管子導通，這時候產生的損耗算不算開關損耗？==================回答：當然要算啊，電流為負，無非是電流的流動方向不同，管子照樣在產生損耗第二個，就是反激MOS管在DCM模式下，在MOS管啟動時候產生震蕩，在該震蕩內產生的損耗算不算開關損耗=================回答：管子在導通瞬間產生的震蕩現象，也會有導通損耗，因為這個期間，不但有電壓信號，還有id流過，電壓與電流重疊的區域，就是管子的損耗   

不客氣的說，感覺lz的思維似乎有些混亂可能僅僅是知道Buck和Boost等名詞吧什么是Buck電路？什么是Boost電路？什么又是Buck-Boost電路？以這個【比如市電輸入，輸出12V0.5A】案子，有必要糾結是【是選用Buck還是Buck-boost】嗎？正面回答：1、Buck電路是DCDC降壓2、Boost電路是DCDC升壓3、Buck-Boost電路，即可升壓也可降壓這個【比如市電輸入，輸出12V0.5A】案子，前段是橋式整流等，后端就用DCDC降壓即可，這樣紋波，電磁干擾等指標更好。沒有這個說法吧：【Buck的效率要比Buck-Boost高】

好帖?。?！謝謝樓主?。。?

謝謝關注！現在找不到原因,頭疼。原理圖是按照iwatt管網公布的。為什么低電壓輸入時，是正常的高電壓輸入時，就不工作了呢？

NMOS內部的多數載流子是電子，而PMOS是空穴。相對來說，電子的攜帶電荷的能力是空穴的2倍左右，即，在同樣面積的芯片上，NMOS可承受的電流ID是PMOS的2倍，故，業界大量使用的NMOS。當然，不知道NMOS的制程是否優于PMOS，這點需要高人解答

D1~D4是可以要的，目的在于削弱紋波現在發現高壓側的管子發熱厲害（Q1\Q2），建議把R14\R11的電阻值取小，由現在的20歐姆改為2.2歐姆試試

若是一上電的瞬間就燒MOS，一定是過壓損壞！請重點檢查：1、產線有否靜電的問題，造成管子軟損傷2、應用圖紙要重點分析，抓取D-S波形看看，有否超標，尤其是紋波，排除選型不當的因素

G極串聯的那個電阻，若是取值大了會造成管子處于米勒平臺的時間延長，此時，管子內部有電流流過，損耗加大，故容易發熱                新潔能FAE

1、靜電手環要可靠接地    線長要經常巡查，防止員工喝水或去洗手間回到工位，遺忘佩戴；     防止靜電手環另外一端與公共母線接觸不良或磨損造成斷線的危險 2、PCBA轉運途中，要用靜電袋包裝。 3、干燥的冬季尤其是危險