布魯斯李：
在圖3波形中討論。從t1時(shí)刻到t2時(shí)刻，漏極電流ID從零增加到額定值。可不可以這樣認(rèn)為，t1-t2這個(gè)時(shí)間段內(nèi)MOS管是一個(gè)從開(kāi)始導(dǎo)通，到完全導(dǎo)通的過(guò)程，這一過(guò)程中Vds一直沒(méi)變。自己不明白的是，t1-t2這個(gè)時(shí)間段MOS管已經(jīng)導(dǎo)通了，Vds為什么卻從t2時(shí)刻開(kāi)始，逐漸下降？為什么不在t1-t2這個(gè)過(guò)程中下降呢，t2時(shí)刻MOS管完全導(dǎo)通后，管子內(nèi)的導(dǎo)通電路發(fā)生了什么變化？