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的確,可是我最近實驗結果,Y電容如果接在輔助級地端,30~50Mhz反而高了些,還在尋找原因所在..........

L*i(t)=V*d(t)  在相當時間及電壓下要增加電流L相對要降低這是我的淺見不知對不對

雪老師:最近我設計一款有隔離單管反激dc-dc規(guī)格如下:Vin(dc):9v-18vVout:5v/3A15WPWM:3843開關頻率:350kcore:ER14.5(AL:1600nHAe:17.6mm^2)我計算出的圈數是:NP:6TNS:5TNP:6TNB:10T用三明治繞法初級電感實際測是5uH漏感5%內不知道這樣變壓器是否有問題呢?因為這個圈數在10W內沒問題但是在15W時MOS太熱了超過120度VDS波形如下:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1103099901.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">不知道上圖12是否跟變壓器有關?

sunrise前輩請問一下如何將(62貼)圖里的第4項縮小(尖波到震蕩結束)?我今天發(fā)現  在10w時那個震蕩小mos溫升45度但是到15w時震蕩變大mos溫升到熱跑脫....  不是什么情況會造成這個現象VIN9~18VVOUT5V/3A初次級有隔離6T5T6T10T晚輩在繞制反激變壓器時是用三明治繞法NPNSNPNB但是各層間沒有加絕緣膠帶不知會不會有影響...但題漏感有在5%內

剛才有使用誤差放大器但是還是mos溫度還是沒改善vin9v  vout5v/3a時效率只有74%mos持續(xù)熱跑脫...vin18vvout5v/3a時效率80%mos溫升60度.....如果反饋有震蕩  VDS及3843輸出端應該會有震蕩的波形才對呀  但是我調整到不震蕩后  MOS還是會持續(xù)熱熱脫.....SUNRISE前輩  反激是不是不適合做VIN低壓的DC/DC還是MOS溫升是反激的缺點呢?但是看業(yè)界一堆人用反激在做這個CASE10W~30W的呀

似乎是反饋有些問題  雖然pin3的梯形波正常但是pin1在輸出10w以上后就開始有些震蕩...雖然跳過3843誤差放大器反向輸入端的方式可以簡化線路  但是實際上如果沒有調整好  還是會有很大的問題  請問sunrise前輩  你是用rc方式將pin1回授到pin2的方式嗎?

反饋方式我是跳過3843pin2的反向輸入端接地直接用pin1來接光耦合c極e極接地.....如果反饋有問題應該在pin3就會出現振蕩....但是我觀察是沒有

柵極電阻本來用10R但是不接還是沒改善開關頻率:350kDmax:0.45滿載時VDS時間如下:1.Toff:    456us2.turnon:  52ns3.turnoff:64ns4.尖波到震鈴結束時間是184ns1,2,3,4波形如下:[圖片]500){this.resized=true;this.width=500;this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}"onclick="if(!this.resized){returntrue;}else{window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/24/1102582816.jpg');}"onmousewheel="returnimgzoom(this);">

ROHM的RB050L-40:3A/40VVf:0.5V用二只并聯(lián)

sunuise前輩我本來已經有在pin7對地接一個1uF及10uF的電容了...我上傳的vds波形下緣不陡是turnon速度太慢所致那應如何改善呢?這個case不可能加zcs呀.....然而這種現象應該跟變壓器設計無關吧?