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最近領(lǐng)導(dǎo)讓給新人整理的關(guān)于開(kāi)關(guān)電源的功率器件電壓電流應(yīng)力測(cè)試的指導(dǎo)，還望各位大俠指點(diǎn)一二 1.指導(dǎo)書(shū)說(shuō)明 本指導(dǎo)書(shū)是對(duì)電源產(chǎn)品內(nèi)部關(guān)鍵器件的電壓，電流應(yīng)力測(cè)試的說(shuō)明，包括：測(cè)試項(xiàng)目、測(cè)試條件、測(cè)試方法、測(cè)試步驟以及判定標(biāo)準(zhǔn)及注意事項(xiàng)。2.測(cè)試說(shuō)明2.1.測(cè)試條件1.輸入電壓：規(guī)格范圍之最小、最大。2.輸出負(fù)載：空載（或者最小負(fù)載）和滿載。3.輸出電壓：額定。4.環(huán)境溫度：常溫環(huán)境下。2.2測(cè)試器件電源的關(guān)鍵器件應(yīng)包含以下種類(lèi)但不限于下列內(nèi)容：輸入整流橋、主開(kāi)關(guān)管、輸出整流管、輸出續(xù)流管、鉗位管、輔助電源開(kāi)關(guān)管、輔助電源輸出整流二極管、大電解電容的紋波電流和電壓等。 2.3測(cè)試項(xiàng)目1.測(cè)試器件在下列條件下的應(yīng)力波形（電流應(yīng)力波形和電壓應(yīng)力波形）： a器件在產(chǎn)品正常工作時(shí)的應(yīng)力波形； b器件在產(chǎn)品輸入上、下電時(shí)的應(yīng)力波形；（各種開(kāi)關(guān)機(jī)方式）c器件在產(chǎn)品輸出負(fù)載階躍時(shí)的應(yīng)力波形； d器件在產(chǎn)品輸出短路保護(hù)及撤除后的應(yīng)力波形；（測(cè)試點(diǎn)在輸出端口用空開(kāi)進(jìn)行）e器件在產(chǎn)品輸出過(guò)流保護(hù)時(shí)的應(yīng)力波形； f器件在產(chǎn)品輸入欠壓和過(guò)壓保護(hù)前和保護(hù)后恢復(fù)時(shí)的波形； g器件在產(chǎn)品輸出過(guò)壓保護(hù)時(shí)的波形；具體見(jiàn)附件表格：3.測(cè)試過(guò)程3.1測(cè)試前準(zhǔn)備3.1.1相關(guān)器件的識(shí)別1. MOS管的識(shí)別插件式MOS管，三個(gè)腳，正面正對(duì)自己，從左到右依次是G D S貼片式MOS管，八個(gè)腳，正面正對(duì)自己，左下角有一個(gè)小圓點(diǎn)，從小圓點(diǎn)向右的三個(gè)管腳是S,第四個(gè)腳是G,剩余對(duì)面的四個(gè)腳是D見(jiàn)下圖： 2. 二極管的識(shí)別兩個(gè)引腳的，有灰色線的一端是陰極，另一端為陽(yáng)極。見(jiàn)下圖： 3. 整流橋的識(shí)別正面正對(duì)自己，本體上有缺口的一端是1腳，從左向右依次是2 ，3 ，4腳。見(jiàn)下圖： 4. 芯片的識(shí)別正面正對(duì)自己，左下角有個(gè)小圓點(diǎn)，下面的從左向右依次是管腳順次，之后是右上角，再?gòu)挠蚁蜃笠来问枪苣_順序見(jiàn)下圖： 3.1.2相關(guān)器件的測(cè)試值1. MOS管 電壓應(yīng)力測(cè)試如測(cè)試MOS管，示波器的地線夾必須加在MOS管的源S極，測(cè)試頭夾在MOS管的柵極G或漏極D，不得加反，所測(cè)的波形即為MOS管柵—源（即G—S）波形或漏—源（即D—S）波形；電流應(yīng)力測(cè)試如測(cè)試MOS管，則需要測(cè)試MOS管漏極D或者柵極S中的電流，一般測(cè)試漏極D的電流。2.二極管電壓應(yīng)力測(cè)試如測(cè)試二極管，則是測(cè)試二極管的反向電壓，即，示波器的地線夾必須加在二極管的陽(yáng)極，測(cè)試頭夾在二極管的陰極。電流應(yīng)力測(cè)試如測(cè)試二極管，則測(cè)試流過(guò)二極管的電流即可。3.整流橋 電壓應(yīng)力測(cè)試 如測(cè)試整流橋，則測(cè)試1,4腳之間的電壓，示波器的地線夾必須加在4腳，測(cè)試頭夾在1腳。電流應(yīng)力測(cè)試如測(cè)試整流橋，則測(cè)試流過(guò)2腳或者3腳之間的電流。5. 芯片芯片一般只測(cè)試電壓應(yīng)力，就是測(cè)試Vcc對(duì)地的電壓，一般芯片的Vcc會(huì)通過(guò)一個(gè)陶瓷電容接地，所以只要測(cè)試電容兩端的電壓即可。6. 電解電容電容一般只測(cè)試輸入輸出電容，電壓應(yīng)力就是測(cè)試電容兩端的電壓。電解電容有時(shí)會(huì)測(cè)試紋波電流，這時(shí)應(yīng)注意電流上的耦合方式和測(cè)試上述器件不同，測(cè)試其他器件的電流應(yīng)力時(shí)，電流探頭的耦合方式是直流，測(cè)試電解電容的紋波電流時(shí)，電流的耦合方式是交流。以下是電解電容紋波電流的測(cè)試條件及測(cè)試項(xiàng)。電解電容的最大額定紋波值是規(guī)格書(shū)中查到的，是由電容的耐壓，容值，尺寸及頻率確定的。注：輸入電容的頻率一般是120HZ左右，對(duì)應(yīng)的紋波電流的周期是10mS左右；輸出電容的頻率一般在100KHZ左右，對(duì)應(yīng)的紋波電流周期是10uS左右。3.1.3示波器及探頭的設(shè)置1. 示波器的設(shè)置：1).對(duì)于各個(gè)通道的設(shè)置：耦合方式：直流帶寬：全帶寬終端：電壓應(yīng)力，匹配阻抗是1M歐,電流應(yīng)力是50歐2).對(duì)于波形數(shù)據(jù)采集（acquisition）設(shè)置：峰值檢測(cè)，采樣長(zhǎng)度5M注：使用電流時(shí)，若是測(cè)試除電解電容外的其他器件，電流上的耦合方式是直流，只有在測(cè)試電解電容的紋波電流時(shí)，電流上的耦合方式是交流 2.示波器測(cè)試過(guò)程需注意問(wèn)題1）波形幅度應(yīng)在顯示屏的50%～100%之間，具體看實(shí)際要求調(diào)節(jié)相應(yīng)的檔位。 2）波形幅值超出示波器的顯示屏，就必須將通道的偏置打開(kāi)，視具體情況合理的設(shè)置偏置值。 3.探頭的使用1）測(cè)試電壓應(yīng)力時(shí)，對(duì)于管子的耐壓值超出500V的，應(yīng)使用差分探頭，另外對(duì)于原邊的不接地的管子，最好也使用差分探頭。2） 測(cè)試電流應(yīng)力時(shí)，注意衰減系數(shù)的選擇，在不超出量程的情況下，衰減系數(shù)越小，測(cè)試值越準(zhǔn)確。4.測(cè)試問(wèn)題分析1. 穩(wěn)態(tài)測(cè)試1. 穩(wěn)態(tài)判定標(biāo)準(zhǔn)：穩(wěn)態(tài)時(shí)器件平臺(tái)降額度不超過(guò)80%，尖刺降額度不超過(guò)100%；例：MOS管的規(guī)格是Vds=600V,Vgs=±30V,如下兩種圖，若是測(cè)量出的是圖一，那就可以直接讀數(shù)Vds=470V,不超480V；若是圖二，直接讀數(shù)570V明顯超過(guò)480V，這是就需要把光標(biāo)打出來(lái)，手動(dòng)測(cè)量，器件的平臺(tái)值是440V2. 瞬態(tài)測(cè)試1）瞬態(tài)時(shí)器件降額度不超過(guò)100%.（注：華為要求，針對(duì)mosfet器件，瞬態(tài)尖刺≤20nS的按不超過(guò)額定最大值的110%判定） 實(shí)驗(yàn)過(guò)程中經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)尖刺超出100%，但是超的又不太多的情況，這時(shí)首先要查找自己測(cè)試方法的問(wèn)題，可以按照以下幾個(gè)方面來(lái)排查： 1. 單通道測(cè)試：對(duì)于MOS管，我們一般是Vds和Vgs同時(shí)測(cè)量，這時(shí)可以先將一個(gè)探頭去掉，只看一個(gè)通道，排除是否是兩個(gè)探頭互相干擾。2. 引線的長(zhǎng)短：這個(gè)最好在測(cè)試之前，就盡可能的縮短引線。3. 示波器幅值設(shè)置不當(dāng)：這就是要把測(cè)試波形盡量展開(kāi)的原因，因?yàn)槭静ㄆ鞣翟叫。瑴y(cè)試值越精確。4. 探頭的擺放位置：這個(gè)主要是在使用差分探頭時(shí)會(huì)明顯一些，探頭最好不要橫跨在模塊上。