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你在110VAC時(shí)，的效率是多少，另外，你所處的老化環(huán)境溫度是多少，如果是以40度的環(huán)溫，所選的MOS明顯是危險(xiǎn)的，從MOS的規(guī)格中，TO-220的包裝是147W，這是指在25度時(shí)，以你的輸出規(guī)格20V*4.5A=90W,以效率80%而言，輸入至少需要112.5W*1.3=146.25W明顯的147W>146.25W，初步判定是可以的，之后再看耐電流方面以輸入220VAC時(shí)，146.25/220*1.414-20v=約0.51A,在MOS規(guī)格中以125度時(shí)，耐電流為2.6A左右，以耐電流為0.51*3=1.353A，看情形是可以的，以輸入110VAC時(shí)，146.25/110*1.414-20V=約1.1A，在MOS規(guī)格中以125度時(shí)，耐電流為2.6A左右，以耐電流為1.1*3=3.3A，明顯是超過(guò)了，所以你需要以零件規(guī)格中，去尋找老化環(huán)境時(shí)，所需要的規(guī)格取3倍差是以安全考量，當(dāng)然可以2倍取，但是，必須散熱效果好才行，例如加裝風(fēng)扇是可以考量的取2倍另外，你可以試著做以下試驗(yàn)看是否所說(shuō)正確以輸入140VAC時(shí)，146.25/140*1.414-20v=約0.83A，在MOS規(guī)格中以125度時(shí)，耐電流為2.6A左右，以耐電流為0.83*3=2.49所以輸入電壓大于140VAC時(shí)，應(yīng)該是不會(huì)炸機(jī)，也可以用電流勾表看突波電流多少，就可以驗(yàn)證如上說(shuō)明 或是量則MOS的表面溫度來(lái)重復(fù)驗(yàn)證另外，我相信你們研發(fā)一定是經(jīng)過(guò)了110V老化實(shí)驗(yàn)后才開(kāi)始試產(chǎn)的，但是，要確認(rèn)是否研發(fā)過(guò)程中的零件就是生產(chǎn)的零件，另外，就是研發(fā)過(guò)程中有經(jīng)過(guò)高溫環(huán)境嗎，如40度測(cè)試或以上溫度，我猜想你們研發(fā)或許是在以常溫時(shí)，110V老化測(cè)試，這時(shí)或許是沒(méi)問(wèn)題的，但是在試量產(chǎn)時(shí)，由于整體環(huán)境上的溫度，問(wèn)題就會(huì)顯現(xiàn)了(里面所選的乘值，我是以考量安全數(shù)值計(jì)算的，可以依當(dāng)時(shí)的環(huán)境去選用自已認(rèn)為適當(dāng)?shù)陌踩担⒉灰欢ǖ谜者@些參數(shù)值計(jì)數(shù))

用4個(gè)場(chǎng)管整流，輸入DC12V，輸出電壓約為11.6V/1.45A時(shí)，匝數(shù)比6:10:10LP:22uH效率約為47%,8:10:10LP:30uH效率約為52%mos突波約117vpk-pk哪位高手可以再幫忙看看

目前將橋堆短路跨接后，在輸入DC12V時(shí)效率提升到69%，但是，由于線(xiàn)路要求是雙電源輸入DC/AC，不知道要如何在雙電源輸入下，效率有辦法維持較高的情形另外，斜坡補(bǔ)償方面請(qǐng)問(wèn)可以貼出給相關(guān)資料嗎

 

變壓器8:10:10，并且將突波電容降為680p或是取消，Lp約為23uH,目前11V效率約為43%，12V時(shí)約為43%,13V時(shí)約為45%哪位高手可以幫忙看看小弟不甚感激!

同樣效率差，由于突波滿(mǎn)載MOS耐壓超過(guò)100V，手中剛好沒(méi)有耐壓150V或200V的，所以之前MOS100V時(shí)，我就以負(fù)載360mA左右，在DC11V時(shí)效率同樣低于45%

之前是使用耐壓100V的MOS，但是在低壓時(shí)，突波會(huì)超過(guò)MOS耐壓到105V以上，所以才會(huì)先拿600V來(lái)頂用，等確認(rèn)后，就會(huì)改成耐壓200V應(yīng)該與目前的效率低無(wú)關(guān)

我之前有繞過(guò)6:8:8或8:8:8或8:11:11,LP:20uH或30uH或60H，這些在輸入DC13V,12V,11V,效率都約在50%,47%,42%,改變不大不知道8:10:10的LP感值是多少，并且繞線(xiàn)使用了0.5mm*3C:0.5mm*2C:0.25mm*1C，線(xiàn)繞夠嗎另外斜坡補(bǔ)償電容要放大約多少，及那個(gè)位置

[圖片] 

反激式架構(gòu)