roc918：
MOSFETVDS接負(fù)電壓使用 1. N-ChannelMOSFET的制造工藝N-ChannelMOSFET是以一塊雜質(zhì)濃度較高的P型硅片作襯底,擴(kuò)散/外延2個(gè)N+區(qū)作電極,分別為D/S.在D/S間的絕緣層上再制造一層G. 當(dāng)G/S間加正電壓時(shí),由于絕緣層的存在,沒(méi)有電流流過(guò),但是柵極被充電而聚集正電荷,P型襯底中的多子空穴被正電荷排斥而在表面留下帶負(fù)電的耗盡層.當(dāng)Vgs增加時(shí),耗盡層加寬.繼續(xù)加大超過(guò)Vgs(th)時(shí),襯底中的電子被正電荷吸引至表面,在耗盡層和絕緣層間行成反型層.這個(gè)反型層就是導(dǎo)電的溝道. 2.N-ChannelMOSFET 電流的形成由N-ChannelMOSFET的制造工藝可以看到,導(dǎo)電溝道的形成是靠Vgs,只要在gs之間增加高過(guò)門(mén)檻的電壓，就會(huì)在D,S之間形成導(dǎo)電溝道。此時(shí)，只要在D,S間加電壓就有電流流過(guò)。電流的方向由D,S間電壓電位差決定：在D,S之間增加正電壓，電流由D流向S；在D,S之間增加負(fù)電壓，電流由S流向D； 3. 寄生二極體從何而來(lái)？一般MOSFET出廠時(shí)，通常會(huì)將源極S和襯底短路以降低導(dǎo)電溝道形成的門(mén)檻電壓，這樣在源極就通過(guò)襯底同D極之間形成PN結(jié)，即我們常說(shuō)的寄生二極體 4. V（DS）為負(fù)時(shí)，電流是否從寄生二極體流過(guò)？在D,S之間增加負(fù)電壓時(shí)，由I*Rds(on)