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Q值也變，導致Q*V在R小時VLr&VCr升高。

2016-09-16 11:17 回復

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空載Fs高于Fr1，增益高輸出電壓變高了，所以要跳頻，或縮占空比。最關(guān)鍵的是llc由串聯(lián)會變并聯(lián)的，因看到了次級電容

2016-08-26 10:50 回復

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張老師只關(guān)注占空比，因是反激，在Ton時是儲能，Toff時才釋放能量，次級diode的損耗要考慮。Toff越長diode損耗越大。另DCM，CCM，QR的情況都要考慮，反激D小于0.45，就是綜合考慮初級MOS耐壓，次級diode或MOS導通損耗及反饋補償?shù)模C合設計。

2016-08-26 09:53 回復

cxmnewly：

當你看懂了源程序你就不這么認為，SCR為低頻50HZ開，正好和電網(wǎng)同步，同時加入0-1度179-180度的死區(qū)時間，SCR可以電流自動過零關(guān)斷，如果用MOS就不好控制。。。

2012-04-01 17:48 回復

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l2,l11不用貼，本身是吸收的，有了Q1,Q2就不貼

2012-02-06 10:49 回復

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好好的研究一下，很不錯的，我以復制OK

2012-02-06 10:05 回復

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復制了一臺，220伏的，開機正常，挺開心的，在此愿和各位分享

2012-02-06 10:03 回復

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Q1先ON,TX6,C9,諧振,電流由C9到TX6123腳到10,11,12腳返回到C7,Q8,ZVS

2012-01-09 14:22 回復

cxmnewly：

scr工作在50HZ,改為MOS請如何開上管  

2012-01-09 14:15 回復

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下管通時C背充電，下關(guān)時C通過光藕開通上管

2011-10-31 13:59 回復

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