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來(lái)自臺(tái)灣某網(wǎng)站(2001/6/19)快捷半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductorInternational)推出的新型30VP通道PowerTrench?MOSFET採(cǎi)用耐用閘(rugged-gate)技術(shù),閘極到源極間最大額定電壓為25V,特別適合用於筆記型電腦和其他可攜式電子產(chǎn)品的電池充電器和分離電路部分.這些產(chǎn)品的輸入電壓一般高達(dá)22V.在推出該新品前,P通道MOSFET的最大額定閘電壓不超過(guò)20V.因此需要一個(gè)獨(dú)立閘保護(hù)齊納二極體與MOSFET一起使用.提高了VGS(max)額定值,就無(wú)需在高端產(chǎn)品中增加這一附加元件了.這種新型的P通道MOSFET比同類MOSFET的RDS(on)及閘電荷值更低,切換特性更快.因而是電池充電及其它DC/DC產(chǎn)品的理想選擇.快捷半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)開發(fā)主管JonKlein介紹道:“FDS6679是RDS(on)最低的30VP通道產(chǎn)品,採(cǎi)用SO-8封裝.驅(qū)動(dòng)這些MOSFET更容易、更安全,可以使DC/DC電源設(shè)計(jì)的總體效率更高.”這種與筆記型充電電路和電池功率管理部分(充電器及電池分離)分開的新型P通道系列產(chǎn)品可以用於磁碟儲(chǔ)存RAID(獨(dú)立磁碟陣列)及熱交換開關(guān).快捷的這種新型耐用閘30VP通道產(chǎn)品採(cǎi)用各種封裝:SO-8、TSSOP-8、SuperSOT?-3及SuperSOT?-6.