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liuxinso：

關(guān)鍵是在于重疊的部分。所以開通的時候，你要把電流一直抑制在零，是很困難的，本來就很小。關(guān)斷時是一樣的道理。

2011-12-03 21:11 回復(fù)

原帖：對于功率mos管,零電壓開通優(yōu)于零電流開通的依據(jù)是什么?

liuxinso：

在開通時，MOS上的電流就是零哈。關(guān)斷時，MOS上的電壓也是很小滴。

2011-12-03 21:10 回復(fù)

原帖：對于功率mos管,零電壓開通優(yōu)于零電流開通的依據(jù)是什么?

liuxinso：

mark

2011-11-30 21:48 回復(fù)

原帖：【原創(chuàng)】跟我學(xué)系列之二，元器件降額使用參考

liuxinso：

隔離型的不需要檢測漏電流吧。而且漏電流肯定很小哦。

2011-11-21 14:56 回復(fù)

原帖：microchip的光伏并網(wǎng)逆變參考設(shè)計(jì)

liuxinso：

1相位跟二極管的接法也是有關(guān)系的。漏感吸收部分用的是有緣前衛(wèi)，將漏感能量存在電容中，下個開關(guān)周期再釋放掉。所以效率可以做的好。2交錯并聯(lián)flyback，不僅僅是升壓，還有調(diào)制，也就是說，flyback的輸出是100Hz/120Hz的饅頭波，再通過SCR進(jìn)行逆變，SCR只是工頻換向罷了。3這個案子是最常用的一個案子了，只不過有源前衛(wèi)部分是個專利，不能商業(yè)化。需要自己變通一下。

2011-11-21 14:53 回復(fù)

原帖：microchip的光伏并網(wǎng)逆變參考設(shè)計(jì)

liuxinso：

即使尖峰小于DIODE的電壓應(yīng)力，但是還是建議你加一個RC，損耗可以這樣計(jì)算：0.5C*U*U*f，C可以取個pf級的，比如470p，損耗也很小，但是整個電壓尖峰和EMC都會有很大改善

2011-10-25 22:36 回復(fù)

原帖：這個尖峰電壓是什么引起的

liuxinso：

效率并不是唯一追求的。穩(wěn)定性更重要些。

2011-10-23 11:57 回復(fù)

原帖：這個尖峰電壓是什么引起的

liuxinso：

任何電路都有其優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。呵呵。要不你用有源嵌位，加一個MOSFET加一個電容，加驅(qū)動電路，再弄個控制時序。