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講的對！MOSFET是導通電阻IGBT是導通電壓兩者功耗就看應用的電流大小了。開關速度也不一樣，MOSFET的快IGBT關斷時有拖尾！

 通常門級都有一個下拉電阻，不僅不能沒有它，而且必須具有足夠低的阻值。原因是高輸入電壓情況下輸入功率突增時，FET的漏極電壓突然上升，因此漏極到門極電容兩端會產生一個電壓脈沖，電壓脈沖產生電流，并對門極充電并因此產生電勢，使FET誤導通！一般阻值為4.7-10k！

1、增大電容 諧振頻率降低2、降低線盤電感諧振頻率提高3、降低高度缺點是低功率時IGBT非零電壓開通，IGBT發熱增加

剛好,我也看到這個圖片,是蘇州創惠電子的.我見到一超聲電路圖,就是需要多個接頭,因為換能器發熱,會使電路匹配失調,通過不斷調整變壓器次級以及電感量,使電路重新匹配!