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肖特基二極管的損壞，你提到的兩個因素（熱擊穿、反向耐壓不足）確實比較廠家。以SR5100，5A,100V肖特基二極管為例，部分廠家在設計的時候，留的余量非常小。如果選用SR5150，則VF又太高。很矛盾的問題。對于熱擊穿，每個二極管廠家的水平是不同的。比如某些適配器，本身散熱就是這樣子的，如果選用了不合格或者設計不好的肖特基二極管，就很容易出現(xiàn)一定比例的不良，這在是老化過程中可以發(fā)現(xiàn)。以2A,5V充電器常用的SP10U45L,10A,45V，低正向肖特基二極管為例。有的二極管制造商一味壓低成本，采用質(zhì)量等級差的芯片，雖然VF可以控制在0.5V@IF=10A，但漏電流非常大，在老化過程中很容易造成熱擊穿。如果僅僅去責怪二極管供應商不好，那也是不對，誰讓你選這么不靠譜的產(chǎn)品呢？對于ESD，在高反壓肖特基產(chǎn)品上尤其要注意，即使有的時候HBM能達到8KV，但MM不一定能通過2KV。而恰恰是這個小小的區(qū)別，是很多不良產(chǎn)生的因素。對于太陽能二極管（BYPASSDIODE)，對ESD的要求就更高了。除此之外，二極管制造過程中燒結溫度的控制、溢錫管控、參數(shù)設計平衡、芯片制造、生產(chǎn)過程管控等，均可能影響二極管的品質(zhì)。所以，一旦遇到損壞，要結合不良現(xiàn)象，將原物料失效和終端產(chǎn)品設計結合起來考慮。 

高反壓的肖特基，是能夠測到反向恢復時間的。我們曾經(jīng)做過測試，200V的肖特基，RG1模式下，不到30nS。反壓越高，Trr越大。

要確認你所需要的超快恢復二極管的正向壓降是多少，產(chǎn)品的封裝是怎樣的。有幾款可供參考：MUR860,8A,600V,用于PFC線路，Trr

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TO-220:上面帶散熱片ITO-220:上面絕緣以上封裝多見于功率二極管,如肖特基整流二極管、快恢復二極管、MOSFET等更多情況,請發(fā)送郵件zwg@jinghenggroup.com咨詢

從肖特基二極管本身來講,你所說的問題一般有以下價格常見原因:1:二極管本身正向壓降和反向漏電流過高,20A,100V的管子,規(guī)格書一般標稱0.85v@20A,IR一般在幾個微安左右2:產(chǎn)品封裝問題:  A:所采用的環(huán)氧樹脂級別不夠,導致散熱性差.軸向二極管和TO-220/ITO-220的產(chǎn)品所采用的樹脂是絕對不一樣的.有的公司為了降低成本,采用便宜的,自然就會存在隱患.就是采用同一種樹脂,有的二極管工廠,由于注塑溫度、壓力、環(huán)境潔凈度等問題,做出來的產(chǎn)品還是有很大區(qū)別.比如常見的管體內(nèi)部可能存在包封分層現(xiàn)象,就會使二極管在老化過程中出現(xiàn)穩(wěn)升高的現(xiàn)象.  B:生產(chǎn)問題:有的公司芯片擺放采用手工方式,而這種方式帶來的問題是定位不準,芯片被夾傷,虛焊等隱患.芯片粘片、壓焊的生產(chǎn)環(huán)境控制,特別是溫濕度控制,都是決定二極管品質(zhì)的因素.沾污在很多時候是高溫狀態(tài)下漏電急劇升高的誘因3:芯片  芯片當然是最關鍵的因素了,一般的規(guī)格書標稱125度或150度,是由芯片本身的勢壘金屬、制程決定的.芯片面積小、結溫低的芯片,自然就會差一些4:二極管并聯(lián)使用  如果兩顆管子一致性差,會造成那顆品質(zhì)差一些的管子負載過重,發(fā)熱甚至壞掉.  所以,針對你的問題,可以選用好一些的管子,或是可以考慮用一顆40A,100V的管子替代.