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你把PCB截個圖出來，標記一下各點波形。今天仔細看了一下你的描述，你說的是驅動輸入端電壓變低，和我以前遇到的還不一樣。可以這樣試試：1.斷開驅動芯片到MOS的回路，把MOS柵極拉到地，這個狀態看信號是否正常。信號正常說明功率回路與信號地有共用回路，導致邏輯電平受干擾。2.斷開驅動芯片輸入信號，驅動芯片輸入端拉到地，測試此時邏輯信號是否正常。

以前碰到過相似波形，原因是mos驅動芯片的地饒了一大圈才到mos的s極。你可以檢查一下驅動線路是否繞遠了或者驅動回路與功率回路的地有公共部分。

橋式整流就不存在這個可能了。

電壓不對稱是因為初級線圈對兩個次級線圈的漏感不一致引起的。初級與次級的漏感主要由相對位置決定，保證兩個次級對初級的相對位置一致，漏感的差別就會小很多。嘗試過次級雙線并繞兩層，一、二層都按照1,2順序繞漏感差別較大，后來改為一層1、2繞，二層2、1繞漏感差別就小很多。

在MOS關斷信號前上翹，那就說明變壓器磁芯飽和了，需要改一下變壓器匝數和氣隙。

這個IC應該是初級的反激電源控制IC。把電源腳，地線腳，電流檢測腳，PWM信號腳等功能腳確定后，到各個做控制IC的廠家網站去找6條腿的IC，各個腳可以對應起來的就是了。

如果LED燈拉的比較遠的話，導線會有一定的電感，在關斷時會產生較大的尖峰電壓擊穿MOS。如果這個導線電感存儲的能量超過MOS可以承受的雪崩能量，MOS就可能掛掉。你用示波器捕捉一下LED關斷時MOS的DS上的電壓看看，可以嘗試在MOS的DS并大功率TVS管把尖峰電壓鉗住。

你的這個V+的公式只是算出來V+對Vref的電壓，對地電壓還要加一個Vref。

這個電容影響不大。最好還是找到燒電容原因。1.輸入有過電壓？2.溫度過高？3.電容品質問題？

結果錯了吧。按照你的公式要是V2=V1，Vout=-R3/R1*Vref。這個是基本的差分放大疊加直流偏移，Vout=(V2-V1)*R3/R1+Vref。V+的計算公式錯了。