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arokh：

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2017-11-02 22:09 回復

arokh：

LDO里面有帶隙基準源，跟穩壓管類似吧，受溫度影響小，因為電壓值跟硅的帶隙電壓一致所以叫帶隙基準源

2013-11-26 16:43 回復

arokh：

好籠統的問題啊……沒猜錯的話LZ說的是VCC管腳的電源退耦電容吧？這個電容值跟芯片輸出頻率有關系，電容的容抗最低點跟輸出頻率對上，那么就可以最大限度的退耦。印象里面100nF的陶瓷電容對應幾兆~10幾兆，10nF的陶瓷電容對應幾十兆。

2013-11-26 15:31 回復

arokh：

輸出接到反向輸入端，正向輸入端接地

2013-11-26 15:26 回復

arokh：

不知道你的電源的功率和結構，個人猜測會有如下后果：1，輸出功率達不到額定值；2，MOSFET發熱要比220V輸入的時候大，整體效率降低。綜合來說，如果低輸入電壓和大輸出電流這兩種情況湊在一起，會嚴重拖低電源整體效率，導致發熱嚴重。時間長了會加速元器件老化。別的貌似沒有什么。

2013-11-26 15:25 回復

arokh：

我也感覺應該和電流紋波系數有關

2013-03-05 15:07 回復

arokh：

2576作為負壓buck-boost的時候啟動電流高達5A,一般的電源會進入保護狀態,這一點在手冊上已經明確寫出了,解決方法是加大vin退耦電容并加延時啟動電路.

2008-03-13 10:36 回復

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