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電池板200W*8塊，就算滿載也就1.6kW，半小時1.2度電，我也是醉了，樓主電能轉換效率接近200%。

絕對支持國貨。我還是蠻支持這種類似IGBT的想法。從參數上看，Rds與PD的比例還不如非絕緣的管子，國外DIODE品牌也有過嘗試，貌似沒有推起來，我認為是復雜工藝造成的性能下降和成本提高，相對于散熱處理來說，不是那么必要。老外人力成本那么高，都沒投入精力研究這個，希望國內的公司謹慎謹慎再謹慎，別把路走偏。 

鼠標

生日快樂

散熱面積有點小，適配器用的散熱器一般是條形，很薄，為了增大散熱面積。這個熱阻好計算得很啊，一步計算就出來了啊。不過，這個溫升確實挺高的，都快100度了，正常最多也就40度。

算一下散熱面積，測一下散熱的熱阻，也許是熱設計出了問題。

多大散熱器？或者是沒有散熱器？

MOS一般標稱結溫175℃，真實結溫一般不允許超過150度，以目前的工藝水平，由熱阻折算傳導至管殼的溫差至少30℃，再預留一些設計余量，一般不允許管殼溫度超過100℃，我想請問一下，您測到確定測到150℃的管殼溫度了？您確定用的是普通MOS不是碳化硅管？您確定這個MOS還活著？

方波逆變波形疊加正弦振蕩是由于離散參數和設計參數中的LC震蕩引起，建議先測量得到震蕩頻率，再分析可能會造成該頻率震蕩的振源。