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建議大家參考一下本網站上：功率器件中，有一份文章：MOSFET的UIS及雪崩能量2011-12-0709:07來源：電源網作者：sky，或許對大家有用，供參考，謝謝！

建議了解一下貴司採購的芯片給出的不同標準下ESD的承受能力，45V的4KV-12KV吧，僅供參考，謝謝！

ESD擊穿的概念是從早期的CMOS導引過來的，因MOS器件的原理：是電壓開啟模式，輸入阻抗為：10的7-15次方歐，故對靜電要求比較高，對普通的元器件來說，ESD是非常的不敏感，這個方面軍長說的對！供參考

對于芯片的結溫：1.晶園廠對芯片對應等級進行設計；2.選用的芯片的原材料；3.芯片生產的工藝；4.封裝廠選用對用等級的芯片：125、150、175生產對應的產品型號，一般產品規格書中都會給出，供參考；

[圖片]

1.我有8A10A15A600V帶軟恢復功能的二極管，可以供樣試試（07-12年這顆料在某大廠的TV電源PFC電路中，每年用量在5-7KK，也沒有問題，供參考）2.PFC電路中升壓二極管的前面，有串特殊電阻沒有？僅供參考；

學習而已，多指教，謝謝！

更正一下：是SUN65881.請再研究一下軟起動二極管的作用；2.我說的是PFC回路中的升壓二極管；3.其實就是差那么一點問題就解決：換9N50方向是對的！過多的考量成本，問題反而出現！（但一定要排除鋁線問題,在長虹是有發生過的！） 

1.失效率多少？2.有沒有排除人為的加大功率測試？3.有沒有做過了ESD等測試？4.器件兩端的峰峰值電壓是多少？5.到拆機更換的狀況：不良品解剖下來連接的鋁線是否有問題？可能性很大！  5.PFC回路中的二極管是否有軟恢復功能？ 僅供參考！

1.加一下RC試一下2.嫌煩試一下敝司的軟恢復功能的二極管，僅供參考