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電磁屏蔽技術的分析研究http://www.embeded.cn/article/print.asp?unid=65623.1.2屏蔽對策屏蔽此類干擾,建議選用具有高導磁率的鐵磁材料做成屏蔽殼體,將干擾源屏蔽起來,這樣能使干擾源產生的磁通被引導至鐵磁材料中,從而不與被干擾的電路交連.同理,也可將被干擾的電路屏蔽起來.有關屏蔽殼體的制作,應注意下列事項:所選用材料磁路的磁阻Rm越小越好Rm＝L/μS(L為磁路長度;S為磁路橫切面積;μ為導磁率).從上式可知:選用μ值高的鐵、硅鋼片、坡莫合金等;在屏蔽殼體設計時,應使殼體有足夠的厚度以增大S,達到增加屏蔽效果的目的;在垂直于磁通方向不能開口,以免增大磁阻;為了更好地提高屏蔽效果,有時采用多層屏蔽,在安裝時要注意將屏蔽殼體擰緊.3.2高頻磁場屏蔽3.2.1理論分析頻率在100kHz以上高頻磁場的屏蔽原理是利用電磁感應現象在屏蔽殼體表面所產生的渦流的反磁場來達到目的.上述鐵磁材料在高頻情況下,其磁性損耗太大,不利于在屏蔽殼體上形成盡量大的渦流,達不到有效消除高頻磁場干擾的目的.圖3為一個良導體制成的屏蔽殼體對一個電子線路的屏蔽等效電路圖.圖3 電子電路屏蔽等效示意圖圖3中,L為電子電路的電感;M為電子電路與屏蔽殼體的互感;Ls為屏蔽殼體的電感;I為電子電路的電流;Rs為屏蔽殼體的電阻.從而可得出屏蔽殼體上形成的渦流為:Is=jωMI/(Rs+jωLs) (4)當頻率高時,ωLs>>Rs,此時Rs可忽略不計,則式(4)可簡化為Is≈MI/Ls (5)當頻率低時,ωLs