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動(dòng)點(diǎn)的方向有改變，有可能是為了補(bǔ)償EMI性能的。

在多路輸出的應(yīng)用里面還有一些小手段可以減小待機(jī)功耗的之前提到過(guò)作反饋用的光耦和431的損耗，這里再補(bǔ)充一點(diǎn)。在多路繞組輸出的應(yīng)用里面，光耦和431的偏置電流應(yīng)該取自電壓最低的那一路，（當(dāng)然是在不影響反饋性能的前提下），這樣可以非常明顯的節(jié)約待機(jī)功耗。有一種在家電、智能家居應(yīng)用中非常常見(jiàn)的兩路輸出的結(jié)構(gòu)，是基于LDO的。一般比較高的電壓是18V、12V等供風(fēng)扇、繼電器或者背光的，再通過(guò)一個(gè)LDO提供穩(wěn)定的5V或3.3V給MCU。因?yàn)轱L(fēng)扇、繼電器這些基本上在待機(jī)狀態(tài)下都是不用的，那么就可以用MCU提供一個(gè)待機(jī)信號(hào)，把18V、12V降到5-6V，只要能保持MCU正常工作就行了。這個(gè)是從系統(tǒng)的角度出發(fā)來(lái)實(shí)現(xiàn)節(jié)約的。

接下來(lái)再談?wù)勔恍┲苓呡o助電路設(shè)計(jì)的影響。RCD是比較常用的吸收電路，主要是吸收漏感的能量以限制開(kāi)關(guān)管上的尖峰電壓。相信大家都清楚，RCD如果做的太強(qiáng)的話會(huì)對(duì)效率有很明顯的影響，那自然也會(huì)影響輕載效率和待機(jī)功耗。如果考慮到待機(jī)狀態(tài)下電源都是工作在極低頻率的Burst狀態(tài)下的話，實(shí)際上C的大小對(duì)待機(jī)功耗的影響比R要大得多，因?yàn)槊看蜟都會(huì)充滿再放光的。這部分能量就像一個(gè)假負(fù)載掛在那里一樣從這個(gè)角度出發(fā)，有一種做法是把C徹底拿掉，用一個(gè)TVS來(lái)代替，這樣就拿掉了這個(gè)“假負(fù)載”。[圖片]

不差錢的話就用固態(tài)電容

樓上說(shuō)的沒(méi)錯(cuò)。加多大的假負(fù)載這就要看所用原邊反饋芯片最小功率能做到多少了，也就是最小的ipk和最小的頻率。這里就也有取舍，ipk太小了，副邊導(dǎo)通時(shí)間就沒(méi)有了，采樣可能會(huì)有問(wèn)題。最小的開(kāi)關(guān)頻率太小了，空載跳重載的時(shí)候輸出就會(huì)掉到零。

原邊反饋和副邊反饋的芯片在待機(jī)功耗上的表現(xiàn)也是有所區(qū)別的。大家都知道原邊反饋的好處是省了光耦和TL431，但可以說(shuō)還有一個(gè)附贈(zèng)的禮品就是降低了空載損耗，因?yàn)楣怦詈蚑L431也都不是省油的燈。這里是一個(gè)典型的副邊反饋的配置，空載狀態(tài)下典型的偏置電流都在500uA-1mA之間，那么假設(shè)副邊和輔助繞組的供電都是12V的話，這里就產(chǎn)生了10-20mW的損耗。哦，別忘了還要考慮轉(zhuǎn)換效率[圖片]有人減小偏置電流來(lái)降低這部分損耗，但是別忘了，滿載時(shí)的偏置電流空載時(shí)還要小很多。這樣做可能會(huì)影響整個(gè)的環(huán)路性能甚至失調(diào)。

只升了40mV，有可能是正常的啦。繼續(xù)跑跑看吧。做電源不能怕炸[圖片]

實(shí)際上Burst的方式也有一些細(xì)節(jié)是值得注意的。每隔100ms連出10個(gè)開(kāi)關(guān)和每10ms出一個(gè)開(kāi)關(guān)，看起來(lái)平均頻率是一樣的，但轉(zhuǎn)換效率會(huì)不會(huì)有差別呢？仔細(xì)考慮還是會(huì)有一寫區(qū)別的。比如反激電源中，有RCD鉗位電路中的能量每次Burst都是充滿再放光的，這樣的話連出的開(kāi)關(guān)數(shù)多一點(diǎn)會(huì)比較好。LLC的情況會(huì)不一樣，因?yàn)長(zhǎng)LC的Burst基本前一兩個(gè)周期把能量已經(jīng)都輸出來(lái)了，后面再開(kāi)關(guān)基本上只剩勵(lì)磁電流了，換句話說(shuō)后面出的開(kāi)關(guān)都是在做無(wú)用功，除了產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗外沒(méi)干別的。這樣就是連出的開(kāi)關(guān)數(shù)少一點(diǎn)會(huì)比較好。[圖片]

芯片的控制方式可以說(shuō)是決定待機(jī)功耗最重要的一環(huán)。相信大家都清楚，輕載或空載狀態(tài)下，開(kāi)關(guān)損耗在轉(zhuǎn)換效率中占主導(dǎo)地位。所以為了降低待機(jī)功耗，大部分電源芯片都采取載輕降頻的控制方式。以中小功率常用的反激電源為例，現(xiàn)在比較流行的一種復(fù)合控制模式如下，重載時(shí)采用PWM，隨著負(fù)載減輕頻率下降，在接近空載的區(qū)域采用Burst的工作模式進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)頻率。[圖片]這種控制方式在實(shí)際應(yīng)用中有一個(gè)矛盾需要考慮。理論上來(lái)說(shuō)保持最大的ipk可以再空載狀態(tài)下獲得最低的開(kāi)關(guān)頻率（1/2*Lm*ipk^2*fs）。但開(kāi)關(guān)頻率在20kHz一下就會(huì)有噪音的問(wèn)題，從這個(gè)角度來(lái)看就需要ipk越小越好。因此在實(shí)際應(yīng)用的時(shí)候就需要找到最佳的折衷設(shè)計(jì)了。

芯片本身的功耗是Icc*Vcc/?。   Icc是工作電流，Vcc是工作電壓，?是轉(zhuǎn)換效率。因?yàn)樾酒€(wěn)定工作的工作電壓一般都來(lái)自輔助繞組，所以?取決于開(kāi)關(guān)頻率和功率電路的設(shè)計(jì)，后面也會(huì)陸續(xù)提到影響轉(zhuǎn)換效率的一些因素。就目前看到的水平，AC/DC類的功能電源芯片，只要功能不是特別復(fù)雜的，Icc都應(yīng)該能做到百uA這個(gè)數(shù)量級(jí)。只有一些很復(fù)雜的芯片，比如PFC+LLCcombo這種，或是大功率電源中所采用的數(shù)字芯片耗電才會(huì)在mA級(jí)別。特別大功率的電源有時(shí)會(huì)采樣輔助電源的方式來(lái)節(jié)約待機(jī)功耗。Vcc則是取決于輔助繞組的設(shè)計(jì)。為了是芯片功耗最小化，設(shè)計(jì)的時(shí)候當(dāng)然應(yīng)采用盡量低的供電電壓。只是要注意輔助繞組提供的電源一般會(huì)隨著負(fù)載減輕而降低。必須保證Vcc在空載條件下也能保持在最低工作電壓以上。