一種具有短路限制的GaN及驅(qū)動、保護的實現(xiàn)
GaN器件的商用為電力變換器技術(shù)具有重要的意義，目前650V GaN器件已廣泛使用在電源適配、充電器、通信電源等領(lǐng)域，由于具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)頻率，能有效地提高電源的功率密度和效率、減小其體積。
驅(qū)動SiC MOSFET有多容易？
平時我們使用充電器，一般都是關(guān)注充電器的品牌，是小米還是華為，不會去在意它里面是使用的什么材料，為什么小米這款65W的充電器要單獨說明是GaN呢？
基于GaN FET的12V1200W LLC電源設(shè)計指南
在一般的規(guī)格書電氣特性中，我們可以看到會標識功率模塊的漏電流參數(shù)值，以MSCSM120AM16CT1AG這個1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模塊來說，其漏電流為如圖1所示
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性
