共模抑制能力“CMR”，英文為Common Mode Rejection ，由于驅動器另一側（副邊）是高壓并且存在不斷的開關動作，那么它就和低壓側（原邊）構成共模信號路徑，主要是高低壓兩側的寄生電容構成的位移電流路徑，所以必須強調光耦要滿足一定的抗共模電壓能力，否則信號傳輸會出現錯誤。

如下是來自安華高的光耦HCNW2611的共模抑制參數，參數說明是，在共模電壓VCM=1kV情況下，共模抑制能力可以達到15kV/us，這個值是電壓的變化率dv/dt，我們在測試雙脈沖測試時，高壓側的電壓變化率測試是必不可少的測試項，而通過這個參數我們也能進一步評估驅動的可靠性指標。

< HCNW2611共 模 電 壓 參 數 >

CMH是共模電壓的最大允許上升率“+dv/dt”，以確保輸出保持在高邏輯狀態。

CML是共模電壓的最大允許下降率“-dv/dt”，以確保輸出保持在低邏輯狀態。

以下是HCNW2211和HCNW2611對共模電壓的測試原理圖，圖中使用脈沖發生器模擬模擬電壓進行測試。

< 光 耦 共 模 瞬 態 抗 擾 度 測 試 電 路 及 典 型 波 形 >

以下是依然是來自安華高的數據，可以看出各個型號的光耦具有的共模電壓承受值。

< 光 耦 共 模 瞬 態 抗 擾 度 舉 例 >