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大家好，我是電源漫談，在SiC功率器件或者模塊的可靠性測(cè)試中有一項(xiàng)H3TRB測(cè)試比較典型，今天我們來(lái)簡(jiǎn)要討論一下。

圖1 典型功率模塊的IDSS漏電流指標(biāo)

在一般的規(guī)格書(shū)電氣特性中，我們可以看到會(huì)標(biāo)識(shí)功率模塊的漏電流參數(shù)值，以MSCSM120AM16CT1AG這個(gè)1200V 12.5mohm典型阻抗的功率半橋模塊來(lái)說(shuō)，其漏電流為如圖1所示，這個(gè)1200V可以看出IDSS這個(gè)漏電流參數(shù)，在1200V漏極電壓反偏下，門(mén)級(jí)電壓為0V,典型值為20uA，最大值200uA。

H3TRB, 具體含義是High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias，即高壓高溫高濕反偏測(cè)試，這項(xiàng)測(cè)試是測(cè)試功率器件在此惡略嚴(yán)酷環(huán)境下的使用的可靠性，對(duì)于功率模塊而言，在其內(nèi)部會(huì)使用硅膠作為絕緣材料，硅膠在潮濕環(huán)境下容易吸濕，在無(wú)法做到完全密封的模塊條件下，隨著時(shí)間的推移，這將導(dǎo)致功率模塊的絕緣性能受損，繼而在電路運(yùn)行中發(fā)生故障。

圖2 H3TRB測(cè)試典型規(guī)范

測(cè)試SiC MOSFET的H3HTRB測(cè)試和Si MOSFET測(cè)試區(qū)別主要是施加的漏極電壓或者反向電壓不同，一般測(cè)試Si 器件的反向電壓較低，而SiC MOSFET的施加電壓卻達(dá)到0.8倍的額定電壓，更為嚴(yán)苛，根據(jù)上述典型的測(cè)試規(guī)范，在高溫高濕條件下，施加0.8倍的額定電壓下，門(mén)級(jí)施加0V電壓，測(cè)試1000小時(shí)以上，漏電流沒(méi)有明顯變大以證明其可靠性。

參考資料: 部分資料整理自網(wǎng)絡(luò)。