上篇文章介紹了一種使用MOSFET替代繼電器設計的浪涌電流抑制電路，MOSFET從關斷到開通過程中經歷了較長時間的線性工作區，此時MOSFET的功耗巨大易損毀，選擇器件時需要尤為注意。本篇將介紹此電路中MOSFET以及其他關鍵器件選型時的注意事項。

一.MOSFET M1的選擇

1.耐壓選擇

在電源輸入端一般會放壓敏電阻，規格視輸入電壓而定，以最大輸入電壓為264Vac為例，通常選擇275Vac或300Vac的壓敏，查詢TDK 300vac壓敏電阻B72214S0301K101規格書，其鉗位電壓V-clamp為775V：

考慮到EMS測試（surge/EFT），整流橋后殘留電壓最大值將達到V-clamp，Cbulk與MOSFET可以視為串聯，同時Cbulk上電壓不能突變，鉗位后的電壓將加在MOSFET兩端，因此MOSFET耐壓應選擇大于V-clamp.

2.電流選擇

流經MOSFET的最大電流取決于R2的阻值，因此選擇MOSFET時的電流要求：

Ids>Imax=Vbe/R2

3.功率選擇

從上圖可知，在T1-T2時間段，MOSFET電壓線性下降，電流線性上升，兩者同時存在，下面將計算這一階段MOSFET的有效功率:

以上為詳細計算，其實還有更簡單的算法：

MOSFET是否會燒壞是與其結溫相關的，以上計算出此階段的有效功率后與MOSFET的規格書相比較，需要關注的參數是Zth-jc，以ST MOSFET器件 STB18NM80為例：

在曲線中找到t2對應的時長，然后對應single pulse曲線找到對應的k值或Zth-jc值，將允許的耗散功率和計算的發熱功率相比較，Prms需要小于Ptot才行。

二.Rinrush的選擇

1.阻值選擇

Rinrush的阻值決定了T0時刻輸入電流的大小，此時Iinrush≈Vin/Rinrush，應根據該限值的大小來選擇合適的阻值。

2.耐壓選擇

電阻兩端的最大電壓為V-clamp，選定電阻的耐壓值應大于此值，可選擇多顆串聯。

3.功率選擇

通過計算發熱量來計算Rinrush在T0-T2階段的有效功率。

在T0-T1階段，在輸入源通過Rinrush為電容充電，電容電壓呈非線性上升，上升到Vbe*Rinrush/R2時到達T1時刻這一階段才結束。

在T1-T2階段Rinrush上電流呈線性下降，計算此階段發熱量：

綜上可以計算在T0-T2階段內電阻的總發熱量及有效值功率：

將以上計算的Winrush值同電阻的規格書相比較，Winrush應當小于瞬態過載的發熱量規格書中會描述該電阻瞬態過載能力，例如Vishay AC05000003009JAC00電阻：

三.采樣電阻R2的選擇

1.阻值選擇

R2取值受制于兩方面，1.開機時Iinrush流經R2產生的壓差能夠使Q1導通，2.電路正常工作時輸入電流流經R2產生的壓差不要使Q1導通，因此這里取值時需要折中考慮。

2.功率選擇

下面將計算R2在T0-T2階段的發熱量：

接下來的選型就和Rinrush一樣，不再贅述了。