關(guān)于單片機芯片電源部分的設(shè)計，這部分大家可以參考各大品牌開發(fā)板的設(shè)計，我這里以官方數(shù)據(jù)手冊相關(guān)內(nèi)容進行分析。

• STM32芯片電源設(shè)計

通過查閱《STM32F101xx, STM32F102xx, STM32F103xx, STM32F105xx and

STM32F107xx advanced Arm®-based 32-bit MCUs Reference manual》參考手冊，第5章關(guān)于電源的內(nèi)容。如下圖所示，電源VDD要求范圍2.0~3.6V。VDD電源關(guān)閉時，實時時鐘（RTC）和備份寄存器可通過VBAT電壓供電。

通過電源功能框圖可以看出，對VDD進行低電壓檢測后，可以控制VDD和VBAT之間的開關(guān)進行自動切換。

VDDA是模擬電源，通過33uH磁珠連接到VDD，實現(xiàn)電源的隔離效果。VSSA是模擬地，模擬地直接和VSS連接。VREF-連接電源地VSS，VREF+連接電源VSSA。為模數(shù)轉(zhuǎn)換提供參考電壓。

• GD3芯片電源設(shè)計

通過查閱《GD32F103xx_Datasheet_Rev2.9》數(shù)據(jù)手冊，如下圖所示，GD32F103VET6芯片電源VDD要求范圍2.6~3.6V。

從《GD32F10x_yonghushouce_CN_Rev2.4》參考手冊中得知。VDD電源關(guān)閉時，電源會自動切換到VBAT（電池）引腳供電。

通過功能框圖可以看出，VDD和VBAT之間在芯片內(nèi)部有一個切換開關(guān)，可以自動切換。

通過對比，STM32F10xxx系列芯片和GD32F10x系列芯片電源設(shè)計方案可以相互參考，畢竟電源都是供電作用。

• 芯片電源電路

后續(xù)更新敬請期待，正在畫板中。官網(wǎng)資料的下載很簡單，大家可以多去官網(wǎng)看看，以開發(fā)STM32的思路，去擼GD32的官方手冊就可以。如果STM32的開發(fā)學(xué)習(xí)基礎(chǔ)好，其他的型號也比較快上手，更何況GD32和STM32相似度高到，可以說是雙胞胎。