前面有關EMI專題文章中也提到過一些關于EMI的相關知識EMI知識點和相關整改措施EMC整改建議，本文主要是介紹最常見的反激變換器的相關EMI最優設計，從最基本的原理入手，了解其設計思路。

圖1 與變壓器結構相關的繞組間電容

對于許多設計人員來說，反激式轉換器仍然是不良 EMI 特征的代名詞。 EMI 有多種原因，其中一個主要因素是反激變壓器。 它的繞組承載高頻開關電流，使其成為 H 場（磁場）天線。 它的一些繞組在遠高于開關頻率的頻率下產生振鈴電壓，使變壓器也成為電場（電場）天線。 繞組間電容——特別是初級到次級的寄生電容——可以使變壓器成為共模傳導發射發生器，如圖 1所示。 其他值得注意的 EMI 來源是 MOSFET 漏極印刷電路板 (PCB) 走線、捕捉二極管 （與次級繞組串聯）、PCB 走線回路和一般 PCB 布局。

圖2 繞組布置可以減少繞組間電容的影響

變壓器繞組間電容受兩個繞組彼此接近程度的影響。 由于繞組兩端的電壓不均勻，因此有效電容通常略小于計算出的物理電容。 必須始終考慮電壓梯度效應。 電容器“板”面對部分的交流電壓的平均值決定了存儲的電荷，從而決定了有效容量（見圖 1 和 2）。

以與初級 MOSFET 相同的接地電位為參考的靜電屏蔽可以中和這個共模電容，迫使任何共模電流通過本地路徑返回初級電路。

圖3 反激式變壓器中心間隙的邊緣磁通

以下是在使用反激式拓撲時有助于將 EMI 降至最低的標準技術列表：

• 變壓器應該是中心間隙的，因為來自暴露氣隙的邊緣場會成為強大的 EMI 來源。 如前所述，這意味著與最靠近中心間隙的繞組匝中的邊緣磁通感應電流相關的額外損耗（見圖 3）。

• 如果初級繞組位于多層上，則應從繞組末端開始纏繞（連接到印刷電路上的 MOSFET 漏極），以便外層屏蔽來自漏極電壓激勵的 E 場。 這也有助于降低與電壓梯度效應相關的繞組間電容效應（見圖 2）。

• 反激式轉換器是輸入和輸出紋波電流的強大來源。 在反激變壓器的輸入和輸出端使用高頻、低阻抗電容器，并結合其他類型的電容器和濾波器。 最小化快速 dI/dt 電流路徑的環路面積。 使用環形磁芯電感作為輸出濾波器； 避免使用棒狀電感器，因為它們的開芯形狀會產生 H 場。

• 注意捕捉二極管的反向恢復特性，它可能是 H 場發射的來源。 正向恢復如果太慢，會延遲過渡時間并增加電場發射。 肖特基二極管雖然沒有反向恢復問題，但由于其寄生并聯電容，會引入寄生電感諧振。 必要時，在鉗位二極管兩端放置一個 RC 緩沖器。

• 初級 MOSFET 的開啟（但不是關閉）應該比二極管的反向恢復時間慢。

• 應仔細進行PCB 布局以將EMI 降至最低。