前面我們討論到驅動器的旁路電容選取的標準，本文將討論對于自舉驅動電路中的自舉電容容值如何選取進行舉栗子分析，話不多說開整。

   在此示例中，采用IR2125高壓集成柵極驅動器來驅動48V輸入降壓轉換器中的IRF1310N晶體管。 下面給出了相應的示意圖。

假設以下電路參數：

VIN,MAX=65V                      穩態最大輸入電壓

VDRV=12V                           MOS管驅動電壓

?VBST=0.5V                         穩態自舉電容紋波電壓

?VBST,MAX=3V                  在驅動器進入欠壓鎖定或柵極驅動幅度變得不足之前，CBST兩端的最大電壓下降。

fDRV=100kHz                       開關頻率

DMAX=0.9                            最小輸入電壓下的最大穩態占空比–在此示例中，控制器沒有限制最大占空比。

tOFF,TR=400µs                    瞬態關斷時間–突然移除負載時，MOSFET在該時間間隔內保持關斷狀態。

tON,TR=200µs                    瞬態導通時間–負載電流突然增加時，控制器在此時間間隔內保持MOSFET導通，以建立輸出電感器電流。

電路相關器件參數：

QG=85nC                           驅動電荷  IRF1310 @ VDRV=12V and VDS=65V

RGS=5.1k?                         泄放電阻

IR=10µA                              漏電流 DBST @ VIN,MAX and TJ=80°C

VF=0.6V                               正向壓降 DBST @ 0.1A and TJ =80°C 

ILK=0.13mA                        電平轉換器的泄漏電流 @ VIN,MAX and TJ =100°C 

IQBS=1mA                          自舉驅動器的靜態電流

   首先，考慮驅動器的穩態操作。 基于0.5V的紋波預算和自舉電容器消耗的電荷量，可以確定一個最小電容值：

代入數值可得出穩態工作時的最小自舉電容器值：

   對于瞬態條件，根據最大電壓降計算電容值。 當開關必須長時間保持斷開狀態時，輸出電感器電流衰減至零，并且主開關的源極穩定在輸出電壓上。 自舉二極管被反向偏置，自舉電容器必須使浮動驅動器保持活動狀態。 此外，在空閑周期結束時，CBST仍必須提供柵極電荷才能導通MOSFET。 因此，所需的電容器值為：

代入實際參數計算得：

   進行最后的計算以檢查是否可以在所需的200us瞬態導通時間內連續接通開關。 可以補充自舉電容器后，較長的導通時間后將有保證的關斷時間。 自舉電容器必須保持足夠的能量來支持靜態電流和泄漏電流，如下表所示：

代入數值計算得：

為了滿足所有這三個要求，應選擇最高電容值（CBST = 470nF）。

   高端驅動器IC不僅必須被自舉電容器旁路，而且還必須被另一個以地為參考的電容器旁路，如示意圖所示。 CDRV提供高峰值充電電流，以補充主MOSFET先前導通期間從CBST吸收的能量。 如果CDRV >> CBST，則自舉電容器可以重新充電至完整的VDRV電平。 通常，CDRV比CBST的電容大一個數量級。 選擇低側旁路電容器的值時，首先應考慮穩態工作。 因此，CDRV≈10⋅CBST，1，需要CDRV = 2.2µF。