一、 基本參數(shù)

      不同的場(chǎng)景重點(diǎn)要看的參數(shù)不一定是哪個(gè)，但是這些基本參數(shù)是無論哪個(gè)場(chǎng)景都需要關(guān)注的。

    1. 供電電壓VDD、電流IDD

        供電電壓范圍決定了器件能否用于某些場(chǎng)景，輸入電流與功耗有關(guān)，低功耗場(chǎng)景也需要關(guān)注。

    2. 導(dǎo)通電阻Ron

        導(dǎo)通電阻是非常重要的概念，不同類型的模擬開關(guān)導(dǎo)通電阻可能從mΩ到幾百Ω不等。例如用來切換不同的熱敏電阻或者運(yùn)放電路中切換不同增益的電阻，這個(gè)時(shí)候就需要選擇小導(dǎo)通電阻的模擬開關(guān)，以求盡量不影響原始信號(hào)。

    3. 邏輯輸入電平VIH和VIL

        邏輯輸入電平指的是EN信號(hào)或者說是SLE（slect）信號(hào)的電平閾值，需要搭配 合適的MCU或CPU的IO電平來控制通斷。

    4. VS和VD電壓

        即輸入和輸出信號(hào)電壓，不同的芯片定義也不一樣，有些是可以高于電源電壓VDD，有些只能低于電源電壓。

     5. IS和ID持續(xù)電流

        一些場(chǎng)景下模擬開關(guān)可能需要走一定的電流，此時(shí)要看開關(guān)的最大電流能否支持該場(chǎng)景。

     6. 開啟/關(guān)閉時(shí)間ton/toff 

       使能關(guān)斷或者開啟開關(guān)時(shí)，受MOS管導(dǎo)通時(shí)間的影響會(huì)有一段時(shí)間的延遲。多通道控制不同信號(hào)時(shí)，可能需要考慮此延遲的影響。

二、特定場(chǎng)景下參數(shù) 

        1. 高速信號(hào)

       當(dāng)模擬開關(guān)用于SPI、USB等高速信號(hào)時(shí)，需要關(guān)注一些可能會(huì)影響信號(hào)質(zhì)量的參數(shù)。     

         ① 帶寬BW

       決定信號(hào)傳輸能力，過低會(huì)限制數(shù)據(jù)速率，根據(jù)通過信號(hào)的頻率選擇。

         ② 各種寄生電容

        各種寄生電容會(huì)導(dǎo)致信號(hào)衰減，因此也需要關(guān)注這些參數(shù)。

        a. CSOFF——當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)源極對(duì)地的寄生電容

            CSON——當(dāng)開關(guān)開啟時(shí)源極對(duì)地的寄生電容

        b. CDOFF——當(dāng)開關(guān)關(guān)斷時(shí)漏極對(duì)地的寄生電容

            CDON——當(dāng)開關(guān)開啟時(shí)漏極對(duì)地的寄生電容

        ③ 傳播延遲（tPD）

        傳播延遲過大會(huì)引起信號(hào)失真和相位誤差，特別是USB、HDMI、PCIe、SATA等高速總線，這些總線可能需要ps級(jí)別的tPD，因此這種場(chǎng)景需要專用的模擬開關(guān)。

        ④ 隔離度（Off-Isolation, ISO）

       多通道時(shí)，隔離度越高，未選通的通道的信號(hào)越不會(huì)干擾選通信號(hào)，不同頻率的隔離度也不一樣。

        ⑤ 通道間串?dāng)_ (Channel-to-Channel Crosstalk) 

      相對(duì)的，開通的時(shí)候通道之間也有相應(yīng)的串?dāng)_，造成不同通道間的信號(hào)互相影響。

        ⑥ 插入損耗（Insertion Loss, IL）

        插入損耗過高會(huì)削弱信號(hào)強(qiáng)度，影響信號(hào)完整性。當(dāng)加上一定的RL時(shí)，造成的損耗越小代表效果越好。

        例如這個(gè)插入損耗只有-0.12dB，相當(dāng)于損耗了約3%。

三、后續(xù) 

              下篇文章：模擬開關(guān)的常見應(yīng)用場(chǎng)景。