同單管正激一樣這種電路最大的缺點(diǎn)是開(kāi)關(guān)管上要承受2倍輸入電壓，比如在一些AC-DC應(yīng)用中需要用到800V的MOS管導(dǎo)致性價(jià)比不高。
一般單管正激可以通過(guò)調(diào)節(jié)復(fù)位繞組的匝數(shù)來(lái)降開(kāi)關(guān)管電壓應(yīng)力，見(jiàn)下圖：
圖12 不等復(fù)位繞組的單管正激
如圖12將復(fù)位繞組設(shè)置為初級(jí)繞組的2倍，理論上MOS管承受電壓應(yīng)力為
Vds=Vin+Vin/2 =1.5Vin。
實(shí)際上這種非等匝比繞組的漏感較難處理，因?yàn)槁└械拇嬖贛OS管還會(huì)承受一個(gè)尖峰電壓，見(jiàn)下圖仿真：
圖13復(fù)位繞組耦合不理想引發(fā)尖峰電壓
上圖13輸入電壓100V，MOS管電壓理論鉗位值為100*1.5=150V，但漏感引起了很高的尖峰電壓，所以實(shí)際電路還需增加RCD鉗位電路不僅降低了效率還增加了電路的復(fù)雜度。
將之前的等效雙管電路稍作改進(jìn)不但可以解決開(kāi)關(guān)管的耐壓?jiǎn)栴}還同時(shí)解決了漏感問(wèn)題。
圖14 改進(jìn)版等效雙管正激電路及原理分析
如圖14所示，增加的輔助繞組相當(dāng)于增加了一個(gè)獨(dú)立電源，鉗位電容上的電壓由原來(lái)的Vin變?yōu)閂in-Va，MOS管上的電壓應(yīng)力也由2Vin變?yōu)?Vin-Va，而每個(gè)初級(jí)繞組上都有與之對(duì)應(yīng)的鉗位電路使漏感能量得到有效吸收，仿真結(jié)果如下：
圖15 改進(jìn)版等效雙管正激波形
仿真結(jié)果顯示這種改進(jìn)后的等效電路達(dá)到了預(yù)期效果消除了由漏感引發(fā)的尖峰問(wèn)題。
由于不受漏感和工藝限制輔助繞組的匝數(shù)可以任意設(shè)計(jì)，這里取輔助繞組匝數(shù)為初級(jí)繞組的1/4，當(dāng)輸入電壓為DC310V時(shí)得到如下仿真波形：
圖16 輸入電壓Vin=DC310V、 Va=Vin/4的仿真波形
對(duì)于直流310V輸入，MOS管承受的電壓Vds=550V。
對(duì)應(yīng)的最大占空比公式為：
當(dāng)前參數(shù)下Dmax=0.429。
另外如果輔助繞組電壓Va采用獨(dú)立可調(diào)電壓源則最大占空比將不受此限制，由于增加了電路的成本和復(fù)雜度這里不做過(guò)多探討。